DMPH4023SK3-13

当您的下一代汽车电子或工业电源设计面临功率密度与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电流与严苛环境的“心脏”？答案就在这里。DMPH4023SK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的P沟道功率MOSFET，正是为突破极限而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您系统高效、稳定运行的基石，其高达50A的连续漏极电流承载能力和低至26毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更出色的热管理表现，直接转化为更长的续航、更小的散热体积和更高的整体能效。

想象一下，在电动汽车的电池管理系统（BMS）中，它能够以极高的效率执行负载开关任务，确保能量精准分配；在工业自动化设备的电机驱动或电源反向保护电路中，其40V的漏源电压和卓越的开关特性，提供了坚固可靠的保护屏障。无论是车载充电器（OBC）、DC-DC转换器，还是各类需要高效功率切换的便携设备，DMPH4023SK3-13都能无缝融入，其符合AEC-Q101车规级标准的身份，更是为您的产品赋予了征战汽车前装市场的“通行证”，从容应对-55°C至175°C的极端温度考验。

选择DMPH4023SK3-13，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。TO-252（D-Pak）封装兼顾了优异的功率处理能力和便于生产的表面贴装工艺，极大简化了您的PCB布局与组装流程。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，显著降低了驱动损耗和开关噪声，让您的系统设计更简洁，性能更纯净。当您追求极致的功率解决方案时，与可靠的DIODES芯片代理合作，不仅能确保这颗高性能芯片的稳定供应，更能获得专业的技术支持，让您的创新想法更快、更稳地落地成真。让DMPH4023SK3-13成为您功率链路中最值得信赖的一环，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:DMPH4023SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1091 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMPH4023SK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能扛大电流、又足够可靠的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMPH4023SK3-13就是为您的高要求应用量身定制的解决方案。它能轻松驾驭高达50A的连续电流，并以低至26毫欧的导通电阻，大幅降低您在开关和导通状态下的功率损耗，直接提升系统整体效率，让热量管理变得更简单。

这颗芯片的核心使命，是让您的电源管理、电机驱动或负载开关电路运行得更稳健、更高效。其40V的耐压和符合AEC-Q101的车规级品质，意味着它不仅能胜任严苛的工业环境，更是汽车电子应用的理想选择。优异的开关特性（低栅极电荷）让驱动设计更轻松，帮助您缩短开发周期，快速实现产品性能的飞跃。