DMP6250SE-13

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否正在寻找一款能够兼顾性能、成本与空间优势的P沟道MOSFET解决方案？答案或许就藏在DMP6250SE-13这颗精巧而强大的芯片之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在您的电源管理、负载开关或电机驱动电路中，DMP6250SE-13能够以高达60V的漏源电压和2.1A的连续电流从容应对各种挑战。其低至250毫欧的导通电阻，意味着更少的能量损耗在发热上，更多的能量被高效利用，直接转化为更长的设备续航时间、更低的系统温升以及更稳定的整体性能。这种高效能表现，让它在消费电子、工业控制乃至汽车辅助系统等广泛领域都能大显身手，无论是为便携设备提供精准的电源路径管理，还是在严苛环境下驱动小型电机，它都能成为您设计中那个最值得信赖的“开关”。

选择DMP6250SE-13，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，确保了从极寒到酷热环境下的稳定运行，大大提升了终端产品的环境适应性与可靠性。采用紧凑的SOT-223封装，它在节省宝贵PCB空间的同时，依然能通过高达14W（Tc）的出色散热能力，应对高功率耗散场景。这一切优势的集成，让您的设计不仅性能卓越，更能快速推向市场。当您需要可靠、高效的P沟道MOSFET时，通过值得信赖的DIODES代理商获取DMP6250SE-13，无疑是迈向成功产品的最明智一步。

• 型号:DMP6250SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:551 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），14W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取DMP6250SE-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一款高效、可靠的P沟道MOSFET而烦恼吗？让DMP6250SE-13来为您排忧解难！这颗来自Diodes Incorporated的MOSFET，拥有60V的耐压和2.1A的持续电流能力，能轻松胜任您的电源开关、负载管理或电机驱动任务。

它的核心魅力在于高效与稳定。仅需4.5V至10V的驱动电压，配合低至250毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和出色的散热设计（功率耗散高达14W），确保了在各种严苛环境下都能稳定工作，极大提升了您产品的耐用性和可靠性。