DMP610DL-7

在追求极致效率的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动负载、同时兼顾出色能效的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出DMP610DL-7，这款来自Diodes Incorporated的先进MOSFET，正是为应对现代应用的严苛挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争的关键一步。

想象一下，在您的便携式设备、电源管理模块或电机驱动电路中，DMP610DL-7能够轻松驾驭高达41V至60V的漏源电压范围，为系统提供坚实可靠的开关基础。其采用行业标准的SOT23封装，在几乎不占用宝贵PCB空间的前提下，实现了功率密度与散热性能的卓越平衡。这意味着您的产品可以设计得更轻薄、更小巧，同时内部布局更加游刃有余。无论是需要高效DC-DC转换的消费电子，还是要求稳定可靠控制的工业设备，这颗芯片都能无缝融入，成为电路中沉默而强大的“能量阀门”。

选择DMP610DL-7，就是选择了一份经过验证的品质与性能保障。Diodes Incorporated作为全球知名的半导体供应商，其产品以高可靠性和一致性著称。这颗处于“有源”状态的芯片，随时准备为您的量产项目保驾护航，确保供应链稳定无忧。当您与值得信赖的DIODES芯片代理合作时，不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到专业的技术支持与选型建议，让您的产品从设计到落地全程顺畅。它出色的电气特性旨在降低导通损耗，提升整体系统效率，直接转化为更长的电池续航或更低的运营成本，为您的终端用户带来切身体验到的价值提升。现在就为您的下一个项目配备DMP610DL-7，开启高效、紧凑、可靠的电源管理新篇章。

• 型号:DMP610DL-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:24.6 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能“扛得住”又“吃得少”的功率开关吗？DMP610DL-7正是您的理想之选。这款由Diodes Incorporated推出的N沟道MOSFET，拥有41V至60V的宽范围漏源击穿电压（BVDSS），让您在设计电源路径、负载开关或电机驱动时信心十足，轻松应对各种电压波动挑战。

它采用微型SOT23封装，极大地节省了您的电路板空间，非常适合空间受限的便携式和嵌入式应用。这颗芯片的核心价值在于实现高效、可靠的功率控制，帮助您降低系统功耗，提升整体能效，让您的产品在性能和续航上更具竞争力。