DMP45H150DHE-13

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为高压开关的可靠性与体积而妥协？现在，一个卓越的答案已经出现DMP45H150DHE-13。这颗来自Diodes Incorporated的高性能P沟道MOSFET，以其450V的高耐压和仅SOT-223的微型封装，正在重新定义中小功率高压应用的性能边界。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在那些对空间极其苛刻却又要求高压隔离与高效开关的场合，比如紧凑型AC-DC电源适配器、智能家电的辅助电源、工业控制系统的隔离模块，甚至是LED照明驱动电路，DMP45H150DHE-13都能大显身手。其高达13.9W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧高温挑战，持续稳定运行。极低的栅极电荷（仅1.8nC @10V）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力整体系统效率的提升，让能量转换更加干净利落。

选择DMP45H150DHE-13，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它继承了Diodes Incorporated一贯的高品质与高可靠性基因，从设计源头保障了产品的长期稳定。其表面贴装的SOT-223封装不仅节省了宝贵的PCB空间，简化了生产流程，还提升了机械强度。当您需要可靠、高效的高压P沟道解决方案时，这颗芯片就是您的不二之选。我们作为专业的DIODES芯片代理，致力于为您提供从这颗明星产品到全线技术支持的一站式服务，帮助您将创新想法快速、稳妥地转化为市场领先的产品。立即采用DMP45H150DHE-13，为您的下一个设计注入高压高效的核心动力！

• 型号:DMP45H150DHE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:13.9W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取DMP45H150DHE-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压电路中的开关选择而烦恼吗？让DMP45H150DHE-13来为您轻松解决！这颗高性能P沟道MOSFET，拥有450V的强劲耐压和250mA的连续电流能力，是您构建高效、紧凑电源系统的理想核心。它能让您的高压侧开关控制变得异常简洁可靠。

得益于其仅150欧姆的低导通电阻（@50mA,10V）和极低的栅极驱动需求，它能显著降低开关损耗，提升整体能效。同时，SOT-223的超小型封装为您节省了至关重要的电路板空间，让您的设计更加精巧。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的高温，它都能稳定工作，确保您的产品在各种环境下都表现出色。