DMP4013SPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时兼顾低导通电阻、快速开关特性和出色热性能的P沟道MOSFET，将如何彻底改变您的设计。答案就在DMP4013SPS-13之中。这款来自Diodes Incorporated的杰出产品，以其40V的耐压和高达11A（Ta）的连续漏极电流能力，为您打开了高效、紧凑电源设计的新大门。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是空间受限的DC-DC转换模块，DMP4013SPS-13都能游刃有余。其低至15毫欧的导通电阻（在10A，10V条件下）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。而优化的栅极电荷（Qg最大值67nC）确保了快速的开关速度，减少了开关过程中的能量浪费，这对于高频开关应用至关重要。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的卓越可靠性，让您的产品无惧冷热考验。

选择DMP4013SPS-13，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用先进的PowerDI5060-8封装，在极小的占板面积内实现了高达1.6W的功率耗散能力，完美平衡了功率密度与散热需求。这意味着您可以在不牺牲性能的前提下，让产品设计更加纤薄、紧凑。当您需要稳定可靠的供应与专业的技术支持时，我们的DIODES芯片代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全链路服务。让DMP4013SPS-13成为您下一个爆款产品的强大心脏，驱动创新，能效制胜。

• 型号:DMP4013SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4004 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 想获取DMP4013SPS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有超低损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP4013SPS-13正是为您而来的解决方案。它集40V耐压、11A连续电流输出能力于一身，凭借低至15毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，直接提升整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的负载开关、电源路径管理和DC-DC转换电路设计变得前所未有的高效与紧凑。其优化的开关特性（栅极电荷仅67nC）确保了快速的响应，减少开关损耗；宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则提供了坚实的可靠性保障。采用小巧的PowerDI5060-8表面贴装封装，它帮助您轻松实现高功率密度设计，节省宝贵的PCB空间。