DMP3165L-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMP3165L-13，这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小型化功率器件的标准。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现设计自由度的关键引擎。

想象一下，在狭小的智能穿戴设备内部，或是在高密度的服务器主板电源轨上，每一平方毫米都弥足珍贵。DMP3165L-13采用经典的SOT-23封装，体积小巧却蕴藏巨大能量。其高达3.3A的连续漏极电流和仅90毫欧的超低导通电阻，意味着它能在极小的空间内高效处理可观的功率，显著减少导通损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是用于负载开关、电源路径管理，还是电机驱动中的极性保护，它都能以出色的效率稳定工作。

选择DMP3165L-13，就是选择了一份可靠与高效。它支持宽达4.5V至10V的驱动电压，与多种逻辑电平完美兼容，简化了您的驱动电路设计。极低的栅极电荷（仅2nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，进一步提升系统整体效率。其坚固的构造支持-55°C至150°C的广阔工作结温范围，从容应对严苛环境挑战。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的DIODES授权代理网络随时为您提供专业服务。让这颗高性能MOSFET成为您下一个爆款产品的“隐形冠军”，助力您的设计在性能、尺寸和成本之间找到完美平衡点，赢得市场先机。

• 型号:DMP3165L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:300 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找一颗能兼顾高效能与微小体积的功率开关解决方案吗？DMP3165L-13正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和3.3A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的90毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它采用易于焊接的SOT-23封装，为您节省宝贵的PCB空间。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷）与宽驱动电压兼容性，让您的电路设计更加灵活简单。无论是用于便携设备的电源开关，还是作为系统板上的负载管理单元，它都能让您轻松实现稳定可靠的控制，大幅提升产品整体能效与可靠性。