DMP3164LVT-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗集双通道、高效率与卓越热性能于一身的MOSFET，将如何彻底改变您的产品设计格局。现在，答案就在DMP3164LVT-13之中。

这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，以其双P沟道MOSFET阵列的独特架构，为您带来了前所未有的设计自由度。其高达2.8A的连续漏极电流和低至95mOhm的导通电阻，意味着在驱动电机、管理负载开关或进行电源路径选择时，它能将能量损耗降至最低，让宝贵的电能更多地转化为实际性能，而非无谓的热量。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是确保了即使在严苛的环境下，系统依然能稳定可靠地运行，为您的产品品质提供了坚实的保障。

无论是便携式消费电子中需要精密控制的电池保护电路，还是工业自动化设备里要求高可靠性的信号切换模块，甚至是网络通信设备中密集的电源分配单元，DMP3164LVT-13都能完美融入。它那TSOT-26的超小型封装，如同一颗高效的“能量心脏”，在寸土寸金的PCB板上悄然释放巨大能量，让您的产品在保持轻薄小巧的同时，拥有强劲持久的动力核心。选择它，就是选择了一种更智能、更紧凑的电源管理哲学。

那么，为何众多领先企业都将DMP3164LVT-13作为首选？理由清晰而有力：它不仅仅是一个组件，更是一个提升整体系统能效、可靠性与集成度的解决方案。其优化的电气参数直接转化为更长的电池续航、更低的温升以及更小的散热设计压力，从而帮助您缩短开发周期，加速产品上市。当您寻求稳定可靠的供应与专业的技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用DMP3164LVT-13，迈出打造下一代高性能、高密度电子产品的关键一步，让创新设计再无后顾之忧。

• 型号:DMP3164LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 2.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95mOhm @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
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您是否正在寻找一颗能大幅提升电路效率、同时节省宝贵板级空间的MOSFET？DMP3164LVT-13正是您期待的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列，以其2.8A的强劲驱动能力和低至95mOhm的导通电阻，让您的电源路径管理和负载开关应用变得异常高效，显著降低能量损耗和发热。

它采用超紧凑的TSOT-26封装，能轻松嵌入对空间极其敏感的便携式设备、物联网模块或高密度主板中。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在各种严苛环境下的稳定表现。选择DMP3164LVT-13，就是选择让您的设计更简洁、性能更可靠、能效比更出众。