DMP3056L-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗仅SOT-23封装的器件，却能稳健承载高达4.3A的连续电流，同时将导通电阻压至惊人的50毫欧以下这并非遥不可及的技术幻想，而是DMP3056L-13为您带来的现实价值。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其30V的漏源电压和卓越的开关特性，正在重新定义小型化电源设计的性能边界。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是空间受限的电机驱动模块，或是高密度板卡上的电源路径管理，DMP3056L-13都能游刃有余。其低至2.1V的栅极阈值电压，让它在低电压逻辑控制下也能迅速响应，实现高效节能的开关操作；而高达150°C的结温工作能力，则确保了在严苛环境下的长期稳定运行。这意味着，从消费电子到工业控制，您的产品都能获得更长的续航、更小的发热以及更可靠的表现。

选择DMP3056L-13，不仅仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它让您无需在功率密度和系统效率之间妥协，其优化的栅极电荷与输入电容，显著降低了开关损耗，让整体能效提升触手可及。为了确保您能获得原厂品质与稳定供应，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行采购。立即将这颗能效与尺寸的平衡大师融入您的下一个设计，它将化身为您产品中沉默而强大的能量枢纽，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMP3056L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.38W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您是否正在寻找一颗既能节省宝贵PCB空间，又能扛起功率转换重任的“全能型”开关？DMP3056L-13正是您的理想答案。这颗P沟道MOSFET拥有30V耐压和4.3A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅50毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。

它专为高效开关而优化，低栅极电荷和电容特性让开关速度更快、损耗更低，轻松应对高频开关需求。无论是用于电池供电设备的负载开关、电源路径管理，还是电机驱动等应用，它都能让您的设计更紧凑、性能更强劲。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和SOT-23封装，进一步确保了在各种环境下的可靠性与易用性，是提升产品竞争力的高效之选。