DMP3036SFV-7

当您的设计需要在有限空间内实现高效功率控制时，是否曾为寻找一款兼具高性能与高可靠性的P沟道MOSFET而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMP3036SFV-7，这款来自Diodes Incorporated的明星产品，正是为应对现代电子设备对功率密度和效率的严苛要求而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在您的便携式设备、电源管理系统或电机驱动电路中，DMP3036SFV-7正默默发挥着核心作用。其30V的漏源电压和高达30A的连续漏极电流能力，让它轻松驾驭从负载开关、电池保护到DC-DC转换器中的高端开关等各种应用场景。无论是需要快速响应的消费电子产品，还是要求长期稳定运行的工业设备，它都能提供坚实的功率处理基础。其极低的20毫欧导通电阻（在10V Vgs，8A Id条件下），意味着更少的能量以热的形式耗散，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航，让您的产品在能效表现上脱颖而出。

选择DMP3036SFV-7，就是选择了一份安心与卓越。其紧凑的PowerDI3333-8封装，完美适配高密度PCB布局，为您节省宝贵的板级空间。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定可靠，大大提升了产品的环境适应性和使用寿命。更低的栅极电荷（仅16.5nC @ 10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体性能更上一层楼。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务。让DMP3036SFV-7成为您下一个成功设计的强大引擎，开启高效、可靠的能量控制新篇章。

• 型号:DMP3036SFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMP3036SFV-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率开关的效率与体积发愁吗？DMP3036SFV-7正是您期待的解决方案！这颗高性能P沟道MOSFET，拥有30V/30A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻（仅20毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在节省电路板空间的同时，提供了出色的散热性能。无论是用于负载开关、电池反接保护，还是DC-DC转换器，它都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、响应更迅速。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重保障。