DMP3036SFV-13

想象一下，当您的电源管理设计面临空间与效率的双重挑战时，是否有这样一款解决方案，既能提供强劲的电流处理能力，又能将宝贵的PCB空间节省到极致？这正是DMP3036SFV-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款高性能P沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。其30V的漏源电压和高达30A的连续漏极电流，意味着它能在严苛的负载条件下稳定运行，为您的系统注入澎湃而可靠的动力源泉。

这款芯片的应用场景极为广泛，尤其适合那些对效率和空间有极致追求的应用。无论是消费电子中的快速充电模块、便携式设备的负载开关，还是工业自动化中的电机驱动与电源分配单元，DMP3036SFV-13都能大显身手。它采用先进的PowerDI3333-8封装，这种紧凑的表面贴装设计，让您在实现高功率密度的同时，大幅缩减了电路板面积，为产品的小型化、轻薄化设计扫清了障碍。当您需要一款能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作的器件时，它无疑是值得信赖的选择。

那么，在众多同类产品中，选择DMP3036SFV-13的理由是什么？答案在于其卓越的性能平衡。极低的导通电阻（典型值仅20毫欧@10V驱动）直接转化为更低的导通损耗和发热量，显著提升了系统的整体能效，让您的产品运行更“冷静”，续航更持久。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，这对于高频开关应用至关重要，能有效减少开关损耗和电磁干扰。为了确保您能顺畅地获取这颗性能优异的芯片，我们推荐您通过官方授权的DIODES代理商进行采购，以获得正品保障和全面的技术支持。选择DMP3036SFV-13，就是选择了一种集高效能、高可靠性与高集成度于一体的解决方案，它将帮助您轻松应对设计挑战，加速产品上市，最终在市场中赢得先机。

• 型号:DMP3036SFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一款既能承载大电流又足够小巧的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3036SFV-13正是为您量身打造的答案。它能让您轻松驾驭高达30A的连续电流，凭借其出色的低导通电阻（低至20毫欧），显著降低功率损耗和温升，从而让您的电源路径设计更高效、更可靠。

这颗芯片采用紧凑的PowerDI3333-8封装，完美解决了高功率密度与有限板载空间之间的矛盾。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定发挥。无论是用于负载开关、电机控制还是电源管理，DMP3036SFV-13都能以卓越的性能，让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。