DMP3017SFGQ-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与体积而苦恼？想象一下，一颗能够承载11.5A强劲电流，同时导通电阻低至10毫欧的P沟道MOSFET，能为您的产品带来怎样的性能飞跃与空间解放？答案就在DMP3017SFGQ-13之中。这款来自Diodes Incorporated的杰出之作，以其30V的漏源电压和卓越的电气特性，正重新定义高效电源开关的标准。

无论是需要精密电源路径管理的便携式设备，还是对散热与效率有严苛要求的车载充电器，DMP3017SFGQ-13都能游刃有余。其4.5V的低驱动电压门槛，让它在电池供电场景下也能轻松开启，确保系统从启动到满载都稳定可靠。而高达940mW的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作温度范围，意味着它能在各种严酷环境下持续稳定工作，为您的产品可靠性保驾护航。当您需要可靠、高效的电源开关解决方案时，选择一家专业的DIODES芯片代理合作伙伴，是确保供应链稳定与技术支持到位的明智之举。

为何众多工程师在众多选择中独钟于此？因为它不仅仅是一个参数优秀的元器件，更是一个系统级的价值提升方案。PowerDI3333-8的超紧凑封装，极大地节省了宝贵的PCB空间，让您的设计可以更加纤薄、集成度更高。极低的栅极电荷（仅41nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统的整体效率并减少了热管理压力。从消费电子到工业控制，从通信设备到汽车电子，DMP3017SFGQ-13以其稳健的性能、出色的能效比和卓越的可靠性，成为您打造下一代高性能、高竞争力产品的不二之选。选择它，就是选择为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMP3017SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找那颗能兼顾大电流与高效率的P沟道MOSFET吗？DMP3017SFGQ-13正是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达11.5A的连续电流，同时凭借低至10毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、可靠的智能电源开关。其4.5V的低驱动电压让它在电池应用中启动更轻松，而宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则确保了它在各种环境下都能稳定运行。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，它能帮您最大化节省电路板空间，让产品设计更精巧、更富竞争力。