DMP3017SFG-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而苦恼？想象一下，一颗能够承载11.5A强劲电流，同时导通电阻低至10毫欧的P沟道MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局？这正是DMP3017SFG-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的动力引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的卓越芯片，以其30V的漏源电压和高达11.5A的连续漏极电流能力，在众多严苛应用中游刃有余。无论是需要高效负载开关的便携式设备、电池管理系统，还是空间受限的通信模块、分布式电源架构，DMP3017SFG-13都能凭借其优异的电气特性，确保系统稳定运行，同时最大限度地减少能量损耗和发热。其极低的导通电阻意味着更少的功率浪费在开关器件本身上，更多的能量被有效输送到负载端，直接转化为您产品的更长续航、更低温升和更高可靠性。

选择DMP3017SFG-13，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子产品轻薄化、高密度的设计趋势。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它能够从容应对从工业到消费电子的各种环境挑战。当您需要可靠、高性能的P沟道MOSFET解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，获取DMP3017SFG-13及其技术支援，无疑是加速项目成功、优化供应链的明智之举。让这颗高效能芯片成为您下一个爆款产品的秘密武器，开启能效新纪元。

• 型号:DMP3017SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找那颗能兼顾大电流与低损耗的“核心开关”吗？DMP3017SFG-13正是为您而来的答案。这颗P沟道MOSFET拥有30V耐压和11.5A的强劲电流承载能力，而其关键魅力在于，在10V驱动下导通电阻（RdsOn）可低至惊人的10毫欧。这意味着它能极大地减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效比更高，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适合空间受限的便携式设备、电源管理模块和各类负载开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。选择DMP3017SFG-13，就是选择用一颗高集成度、高性能的芯片，轻松简化您的设计，实现更高效、更紧凑的电源解决方案。