DMP3010LK3-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为高损耗和散热难题所困扰？想象一下，一颗能够承载17A大电流，同时导通电阻低至8毫欧的P沟道MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局？这正是DMP3010LK3-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、延长电池寿命、并实现更小型化设计的强大引擎。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是对空间和散热极为敏感的汽车电子模块，或是要求严苛的工业控制单元，DMP3010LK3-13都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达17A的连续电流能力，为您的电机驱动、电源路径管理和DC-DC转换电路提供了坚实的保障。在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，意味着无论环境如何变化，它都能保持一贯的高性能输出，让您的产品从容应对各种挑战。

选择DMP3010LK3-13，就是选择了一份安心与高效。极低的导通电阻直接转化为更少的热量损耗和更高的能源利用率，让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，提升了整体系统效率。采用表面贴装的TO-252-3封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也简化了生产流程。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，通过值得信赖的DIODES授权代理获取DMP3010LK3-13，无疑是迈向成功产品的最明智一步。让它成为您设计中那个无声却强大的核心，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMP3010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6234 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾大电流与低损耗的可靠开关吗？DMP3010LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达17A的连续电流处理能力，其核心魅力在于超低的8毫欧导通电阻，能显著减少导通时的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它专为 demanding 的负载开关、电机控制和电源管理应用而优化。优异的开关特性（低栅极电荷）让您能轻松实现快速、高效的功率切换，从而提升整体能效。无论是空间紧凑的便携设备，还是环境复杂的汽车与工业应用，其TO-252-3封装和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）都能提供可靠的性能保障，简化您的设计挑战。