DMP3007SPS-13

当您的下一个电源管理或电机驱动项目面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗小小的MOSFET能带来多大的改变？今天，我们为您带来的DMP3007SPS-13，正是这样一款能够重新定义性能边界的P沟道功率器件。它不仅仅是一个组件，更是您系统实现高效、可靠运行的核心引擎。在竞争激烈的市场中，选择正确的功率开关意味着更长的电池续航、更低的发热量以及更稳定的整体性能，而这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，正是为此而生。

想象一下，在您的电动工具、无人机电调或高密度服务器电源中，需要处理高达90A的连续电流，同时还要将导通损耗降至最低。DMP3007SPS-13凭借其仅为7毫欧的超低导通电阻（在10V Vgs，15A条件下），能够显著减少能量在开关过程中的浪费，将更多的电力转化为有用的功。其30V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下的坚韧不拔，无论是工业自动化产线上的频繁启停，还是户外设备面临的温度挑战，它都能从容应对。

为何众多领先的设计师在众多选项中青睐它？答案在于其卓越的综合价值。极低的栅极电荷（Qg最大值64.2nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于追求高频高效的开关电源和BLDC电机驱动至关重要。PowerDI5060-8的紧凑封装，在提供强大散热能力（功率耗散达2.7W）的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更轻薄、更集成。选择DMP3007SPS-13，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的高可靠性。为确保您获得正品保障与完善的技术支持，我们推荐您通过官方DIODES授权代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目顺利推进的坚实后盾。让它成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:DMP3007SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 想获取DMP3007SPS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能承受大电流又具备极高效率的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3007SPS-13就是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源转换和电机驱动系统脱胎换骨，以高达90A的连续电流处理能力和低至7毫欧的导通电阻，大幅降低系统能耗与发热，直接提升终端产品的续航与可靠性。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省空间的同时提供了优异的散热性能。其优化的栅极特性让驱动设计变得轻松，帮助您实现更高效、更快速的开关控制。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的酷热，它都能稳定工作，让您的产品无惧各种环境挑战，高效运行。