DMP3007SFG-13

想象一下，当您的电源管理方案需要在紧凑空间内处理高达70A的连续电流，同时保持极低的导通损耗和出色的热稳定性，您会选择怎样的核心器件？这正是DMP3007SFG-13诞生的意义它不仅仅是一颗P沟道MOSFET，更是工程师应对高密度、高效率电源设计的信心之选。在30V的漏源电压下，它能以仅6毫欧的超低导通电阻（10V Vgs时）轻松驾驭大电流路径，将功率损耗降至最低，让每一分电能都转化为有效输出。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源车载充电器，DMP3007SFG-13都能成为系统可靠性的基石。其PowerDI3333封装在提供强大散热能力的同时，极大节省了PCB空间，让您的设计在性能与体积间找到完美平衡。在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内，它始终保持稳定表现，即使面对瞬态冲击或持续高负载，也能确保系统长时间稳定运行。选择可靠的DIODES代理商，您获得的不仅是这颗优质芯片，更是从选型支持到供应链保障的全方位服务。

为什么越来越多的领先企业将DMP3007SFG-13纳入其核心物料清单？答案在于它带来的综合价值提升。极低的栅极电荷（64.2nC @10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升系统整体效率。2.8W的功率耗散能力结合优化的热设计，让热管理变得简单高效。当您追求更紧凑的布局、更低的温升、更长的产品寿命时，这颗芯片正是您一直在寻找的解决方案它用实测性能证明，卓越的电气特性与坚固的物理设计可以完美共存，为您下一代产品赋予领先市场的竞争力。

• 型号:DMP3007SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否正在寻找一颗能在大电流应用中同时兼顾高效率与高可靠性的P沟道MOSFET？DMP3007SFG-13正是为您而来。它凭借30V耐压、70A连续电流承载能力以及低至6毫欧的导通电阻，让您的电源转换、电机控制或负载开关设计轻松实现更低的传导损耗和更高的功率密度。

这颗采用先进PowerDI3333封装的芯片，不仅提供了出色的热性能（支持2.8W功耗），其优化的栅极特性（64.2nC Qg）更能让您实现高效快速的开关控制。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保它在各种严峻环境下稳定运行，是提升产品可靠性和能效表现的理想选择。