DMP3007LK3-13

在追求极致能效的今天，您是否还在为电源管理方案中的开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键元件就能显著提升整体效率，让您的产品在竞争中脱颖而出。这正是DMP3007LK3-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款高性能P沟道MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您实现高效、紧凑、可靠设计的得力助手。

这颗芯片的卓越性能体现在其极低的导通电阻上，在10V驱动电压下，仅7毫欧的Rds(on)值意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。无论是面对严苛的工业环境还是追求轻薄便携的消费电子，其30V的漏源电压和高达18.5A的连续漏极电流能力，都提供了坚实可靠的功率处理基础。当您需要构建高效的负载开关、电源路径管理或电机驱动电路时，DMP3007LK3-13都能轻松胜任，其快速的开关特性和优化的栅极电荷设计，确保了响应迅捷且驱动简单，让您的系统运行如丝般顺滑。

从智能家居中的电源分配模块，到车载充电器中的保护电路；从便携式设备的电池管理，到服务器电源的次级侧整流，它的身影无处不在。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-252（D-Pak）封装，赋予了产品应对各种挑战环境的底气。选择它，就是选择了一份经过市场验证的稳定与高效。我们作为专业的DIODES授权代理，不仅为您提供原装正品保障，更能提供深度的技术支持和选型指导，确保这颗高性能芯片的价值在您的设计中得到完美释放。当效率、尺寸和可靠性成为您设计考量的重中之重时，DMP3007LK3-13无疑是那个能让您安心托付的关键选择，助您打造出更具市场竞争力的下一代产品。

• 型号:DMP3007LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 18.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾高性能与易用性的P沟道MOSFET吗？DMP3007LK3-13正是为您而来的解决方案。它能让您轻松实现高效的电源开关与控制，其极低的7毫欧导通电阻（10V时）能大幅减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

凭借30V的耐压和18.5A的强大电流处理能力，这颗芯片能稳健地承担起负载开关、电机驱动或电源路径管理的重任。优化的栅极电荷和快速的开关特性，让您的设计响应更迅捷，驱动电路更简单。采用坚固的TO-252表面贴装封装，并支持-55°C至150°C的宽广工作温度，确保它在各种严苛应用中都能稳定可靠地工作，是您提升产品能效和可靠性的理想之选。