DMP26M7UFG-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载大电流、又具备超低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案DMP26M7UFG-13。这颗由Diodes Incorporated精心打造的功率器件，以其卓越的性能参数，正重新定义着20V级别电源管理与负载开关的应用标准。

想象一下，在您的下一款便携式设备、服务器电源模块或电机驱动电路中，集成这样一颗“能量心脏”：它拥有高达18A（Ta）的连续漏极电流能力，在紧凑的PowerDI3333封装内迸发出强劲动力。更令人惊叹的是，其导通电阻（Rds(On)）在4.5V驱动电压下低至惊人的6.7毫欧，这意味着在相同电流下，它能将导通损耗降至最低，把更多宝贵的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这种高效能直接转化为更长的设备续航、更小的散热设计压力以及更稳定的系统运行，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是需要高效电源路径管理的笔记本电脑和移动电源，还是对开关速度与效率有严苛要求的DC-DC转换器和电机控制单元，DMP26M7UFG-13都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，显著减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它无与伦比的环境适应性，从酷寒的户外设备到持续高负荷运行的工业控制中心，它都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的核心电路选择了一位值得信赖的“高效能卫士”。

那么，为何众多领先企业将DMP26M7UFG-13作为其高端设计的首选？答案在于它实现了性能、尺寸与可靠性的完美平衡。在追求小型化的今天，其表面贴装的PowerDI3333-8封装节省了宝贵的PCB空间，同时优异的导热设计确保了高达2.3W（Ta）的功率耗散能力。从1.8V的低驱动电压门槛到±10V的坚固栅极耐受性，它既兼容低电压逻辑控制，又具备良好的抗干扰能力。当您致力于打造下一款引爆市场的产品时，这颗芯片所提供的不仅仅是参数表上的数字，更是实实在在的性能提升、成本优化与开发周期的缩短。如需获取样品、技术资料或采购支持，欢迎联系我们的DIODES中国代理，我们将为您提供全方位的服务，助您将创新构想快速转化为市场成功。

• 型号:DMP26M7UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:156 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5940 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源电路效率瓶颈而困扰？DMP26M7UFG-13 P沟道MOSFET就是为您破局而生的利器。它能让您的设计轻松驾驭高达18A的连续电流，同时凭借低至6.7毫欧的超低导通电阻，大幅削减功率损耗，直接提升终端设备的续航与能效表现。

这颗芯片专为追求极致的您打造。其优化的开关特性（Qg仅156nC）确保高速、高效的功率切换，非常适合空间紧凑、对热管理要求严苛的DC-DC转换、负载开关及电机驱动应用。选择DMP26M7UFG-13，意味着您选择了一种更可靠、更高效的电能控制方式，让您的产品在性能与可靠性上双双赢得先机。