DMP25H18DLFDE-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否正在寻找一颗能在高压环境下稳定工作、同时保持低功耗与高可靠性的P沟道MOSFET？今天，我们为您带来的DMP25H18DLFDE-13，正是这样一颗能够完美平衡性能与效率的明星芯片。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在您的电源管理模块、负载开关或电池保护电路中，一颗芯片需要承受高达250V的电压考验，同时还要确保信号切换的精准与快速。DMP25H18DLFDE-13凭借其P沟道设计和优异的电气参数，让这一切变得轻松而可靠。其仅需3.5V的低驱动电压即可开启高效通路，最大导通电阻低至14欧姆，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接为您带来更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是工业控制设备中需要稳定切换的功率路径，还是消费电子里对空间和能耗极度敏感的便携设备，它都能游刃有余，确保每一分电力都被高效利用。

选择DMP25H18DLFDE-13，就是选择了一份来自技术前沿的保障。它采用先进的U-DFN2020-6超小型封装，在节省宝贵PCB空间的同时，其表面贴装特性也让自动化生产更加顺畅。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，使其能够从容应对严寒酷暑或设备内部的高温环境，稳定性无可挑剔。更值得一提的是，通过我们专业的DIODES一级代理，您不仅能获得原厂正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持和充足的货源供应，让您的项目从研发到量产全程无忧。当您的设计需要一颗在高压、小信号控制领域表现卓越的P-MOSFET时，DMP25H18DLFDE-13无疑是那个能让您的产品脱颖而出、赢得市场的明智之选。

• 型号:DMP25H18DLFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:81 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• 想获取DMP25H18DLFDE-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小电流电路中的开关控制寻找最优解吗？让DMP25H18DLFDE-13来为您实现！这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，核心使命就是让您在高达250V的应用电压下，依然能实现高效、精准的电源管理与信号切换。

它拥有260mA的连续漏极电流能力，配合低至2.8nC的栅极电荷和81pF的输入电容，确保了极快的开关速度和极低的驱动损耗。这意味着它能显著提升您的系统响应效率，同时降低整体功耗。其紧凑的U-DFN2020-6封装，更能帮助您轻松应对空间受限的现代电子设计，让产品更小巧、更高效。