DMP21D0UFB-7

想象一下，当您的便携式设备需要更长的续航、更小的体积时，您是否曾为寻找一颗既能高效控制电源，又能在有限空间内稳定工作的关键元件而烦恼？今天，我们为您带来的DMP21D0UFB-7，正是为解决这类挑战而生的卓越答案。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其20V的漏源电压和770mA的连续漏极电流能力，在微小的3-X1DFN封装内，为您提供了强大的电源开关与控制性能。它不仅仅是一个晶体管，更是您产品实现高效能、高可靠性的核心动力引擎。

无论是精巧的TWS蓝牙耳机、智能穿戴设备，还是需要精密电源管理的物联网传感器模块，DMP21D0UFB-7都能完美融入。其低至1.8V的驱动电压，让它在电池供电场景下游刃有余，轻松延长设备的使用时间。而495毫欧的低导通电阻（在4.5V Vgs，400mA条件下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的电能被高效地用于驱动您的应用，直接提升了终端产品的整体能效和用户体验。在-55°C到150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定表现，确保您的设备无论身处严寒还是酷热环境，都一如既往地可靠。

选择DMP21D0UFB-7，就是选择了一种经过市场验证的卓越解决方案。它继承了Diodes产品一贯的高品质与可靠性，其极低的栅极电荷（仅1.5nC @ 8V）和输入电容（76.5pF @ 10V），带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于追求响应速度和节能的应用至关重要。当您与值得信赖的DIODES一级代理合作，您不仅能获得这颗性能出众的芯片，更能获得稳定的供货保障、专业的技术支持以及具有竞争力的价格，让您的产品从设计到量产全程无忧。让DMP21D0UFB-7成为您下一个爆款产品中那颗不可或缺的“智慧心脏”，开启高效、紧凑、可靠的电源管理新篇章。

• 型号:DMP21D0UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):770mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.5 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:76.5 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:430mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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还在为空间受限的便携设备寻找一颗高效、可靠的电源开关吗？DMP21D0UFB-7正是您的理想之选！这颗P沟道MOSFET能在1.8V的低驱动电压下高效工作，轻松实现电源的精准通断控制，让您的设备功耗管理更加得心应手。

它拥有20V的耐压和770mA的电流处理能力，同时凭借仅495毫欧的低导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接提升您产品的整体能效和续航时间。其超小的3-X1DFN封装，让您能在寸土寸金的PCB板上实现更灵活、更紧凑的布局设计，为产品的小型化与轻量化注入强大动力。