DMP2165UW-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为效率和空间而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMP2165UW-13，这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正是为打破传统束缚、释放设计潜能而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的关键引擎，以卓越的性能参数，为您的应用注入澎湃而精准的动力。

想象一下，在便携式设备的负载开关中，或者在电池供电系统的电源路径管理里，您需要一颗既能高效导通、又能快速关断，同时还能在狭小空间内稳定工作的“心脏”。DMP2165UW-13正是为此场景量身打造。其20V的漏源电压和2.5A的连续漏极电流，为各类低压应用提供了坚实的保障。更令人心动的是，在4.5V的驱动电压下，其导通电阻低至惊人的90毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接转化为更长的设备续航时间或更小的散热设计压力。无论是智能穿戴、移动电源，还是IoT模块、主板上的辅助电源切换，它都能游刃有余，让您的产品在激烈的市场中脱颖而出。

选择DMP2165UW-13，就是选择了一份可靠与高效。其1.8V的低驱动电压门槛，使其与当今主流的低电压逻辑电路完美兼容，轻松实现高效驱动，简化您的电路设计。极低的栅极电荷（仅3.5nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。同时，其采用超小型的SOT-323封装，在节省宝贵PCB空间方面表现卓越，助力您实现产品的小型化与轻薄化。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质。要获得这颗性能出众的芯片以及专业的技术支持，DIODES中国代理是您值得信赖的合作伙伴。让DMP2165UW-13成为您下一个成功产品的强大基石，开启高效、紧凑、可靠的电源管理新篇章。

• 型号:DMP2165UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:335 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET吗？DMP2165UW-13就是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效的电源开关与路径管理，其低至90毫欧的导通电阻和2.5A的电流能力，确保能量损耗最小化，显著提升系统整体效率。

得益于其1.8V的低驱动电压和仅3.5nC的栅极电荷，它能与您的低压微控制器无缝协作，实现快速、干净的开关动作，让您的设计响应更迅捷。同时，超紧凑的SOT-323封装为您节省每一毫米的电路板空间，是便携式与高密度应用的绝佳选择。选择它，就是选择了一条通往更高效、更紧凑设计的捷径。