DMP2160UWQ-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间和性能的平衡而苦恼？想象一下，一颗仅SOT-323封装的芯片，却能以高达1.5A的连续电流和仅100毫欧的超低导通电阻稳定工作，这不仅仅是参数的提升，更是设计自由度的飞跃。这正是DMP2160UWQ-7为您带来的核心价值将强大的功率处理能力浓缩于方寸之间，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更小的体积、更高的可靠性和更优的成本控制脱颖而出。

无论是需要精密电源切换的便携式医疗设备，还是对空间极其苛刻的TWS耳机充电仓；无论是汽车电子中的负载开关与电源路径管理，还是各类IoT设备中要求高效节能的模块供电，DMP2160UWQ-7都能游刃有余。其P沟道设计简化了驱动电路，2.5V的低驱动电压使其能与现代低功耗MCU完美配合，轻松实现高效开关。宽达-55°C至150°C的工作结温范围，并符合AEC-Q101车规标准，意味着它不仅能适应严苛的工业环境，更能助力您的产品进军要求极高的汽车前装市场，为可靠性加上双重保险。

选择DMP2160UWQ-7，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。它不仅仅是一个MOSFET，更是一个经过优化整合的解决方案。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度和极低的开关损耗，这对于提升系统整体效率、延长电池续航至关重要。当您致力于打造更小巧、更智能、更耐用的下一代电子产品时，这颗芯片将成为您电路板上沉默而强大的基石。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES代理进行采购，确保产品源头正宗，为您的量产之路保驾护航。让DMP2160UWQ-7助您释放设计潜能，将创新的想法加速转化为领先市场的产品。

• 型号:DMP2160UWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:627 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在为复杂的电源开关电路烦恼吗？DMP2160UWQ-7这款P沟道MOSFET，就是您简化设计、提升效率的得力助手。它能轻松承载1.5A的电流，并以低至100毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片专为高效开关而优化，仅需2.5V的低电压即可驱动，完美匹配各类微控制器，让您能灵活控制电源的通断。其紧凑的SOT-323封装为您节省宝贵的电路板空间，而宽泛的工作温度范围和车规级可靠性，则确保它在从消费电子到汽车应用的各类场景中都能稳定发挥。选择它，就是为您的产品选择了一份可靠与高效。