DMP2110UVT-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为空间、功耗和可靠性而妥协？想象一下，一颗仅TSOT-26封装的芯片，却能承载高达20V的电压和1.8A的连续电流，将高效开关与紧凑设计完美融合这正是DMP2110UVT-13为您带来的革新体验。它不仅仅是一个双P沟道MOSFET阵列，更是您提升产品竞争力的秘密武器，以其卓越的电气性能和工业级的温度适应性，为您的设计注入强劲动力。

无论是需要精密电源轨控制的便携式医疗设备，还是对空间极其敏感的TWS耳机充电仓；无论是智能穿戴设备中负责负载开关的“守门员”，还是物联网传感器模块里高效节能的“调度中枢”，DMP2110UVT-13都能游刃有余。其低至150毫欧的导通电阻，意味着更少的能量以热的形式浪费，直接延长了终端设备的续航时间。而高达740mW的功率处理能力和-55°C至150°C的广阔工作温度范围，则赋予了它无与伦比的可靠性与环境适应性，让您的产品即使在严苛条件下也能稳定运行，赢得市场信赖。

选择DMP2110UVT-13，就是选择了一种以简驭繁的设计哲学。它采用行业标准的SOT-23-6细型封装，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的布局更加灵活优雅。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，让系统整体效率再上一个台阶。当您需要可靠、高效且节省空间的功率开关解决方案时，这颗芯片就是最明智的答案。为了确保您能便捷地获得这颗优质芯片及其全面的技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES芯片代理进行采购，从而保障货源的正品性与供应的稳定性，让您的创新之旅再无后顾之忧。

• 型号:DMP2110UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443pF @ 6V
• 功率 - 最大值:740mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 想获取DMP2110UVT-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的双路开关电路占用大量板面而烦恼吗？DMP2110UVT-13为您提供了一站式解决方案！这颗集成了两个高性能P沟道MOSFET的阵列芯片，能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换。其出色的20V耐压和1.8A持续电流能力，足以应对大多数便携式和电池供电设备的严苛需求。

更令人惊喜的是，它拥有极低的导通电阻（仅150毫欧）和栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，能显著提升您产品的整体能效，让电池续航更持久。其紧凑的TSOT-26封装，为您节省下宝贵的PCB空间，让设计更简洁、更优雅。选择DMP2110UVT-13，就是选择用一颗芯片的智慧，解决您双路控制的难题，让您的产品在性能和体积上双双赢得先机。