DMP2110U-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为效率和空间而妥协？想象一下，一颗仅SOT-23封装的芯片，却能承载高达3.5A的连续电流，同时将导通电阻控制在惊人的80毫欧以下这不仅仅是参数，这是DMP2110U-13为您带来的现实突破。它重新定义了小尺寸功率器件的性能边界，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的功耗、更小的体积和更高的可靠性，轻松赢得先机。

无论是需要精密电源开关的便携式设备，还是对空间极其敏感的物联网传感器模组，甚至是高密度集成的服务器主板，DMP2110U-13都能游刃有余。其P沟道设计简化了负压逻辑控制，2.5V的低驱动电压使其与主流微处理器完美兼容，让系统设计变得前所未有的简洁。从-55°C到150°C的宽工作温度范围，确保了它在严苛环境下依然稳定如一，是您打造耐用、高效产品的坚实基石。选择它，就是选择了一种让设计化繁为简、让性能脱颖而出的智慧。

为何众多领先企业纷纷将目光投向这颗芯片？答案在于它无与伦比的综合价值。它不仅提供了卓越的电气性能，更通过极低的栅极电荷和输入电容，显著降低了开关损耗，提升了整体系统效率。这意味着更长的电池续航、更低的发热量以及更小的散热需求。当您寻求可靠且高性能的解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，确保您能获得正品保障、充足库存和及时的技术支持，让DMP2110U-13的价值在您的产品中得以完全释放。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次面向未来竞争力的战略投资。

• 型号:DMP2110U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 Tu0026R 1
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间有限的PCB布局寻找一颗既强悍又小巧的电源开关吗？DMP2110U-13正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有20V的耐压和3.5A的强大电流处理能力，而其核心魅力在于超低的导通电阻（仅80毫欧@4.5V），能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。2.5V的低驱动电压使其能被大多数逻辑电路直接驱动，省去复杂的电平转换。同时，极低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。无论是电池供电设备的负载开关，还是电源路径管理，它都能让您轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。