DMP210DUFB4-7

在追求极致紧凑与高效能的设计中，工程师们是否常常为寻找一颗既能节省宝贵空间，又能稳定驱动负载的P沟道MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMP210DUFB4-7，这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，正是为突破空间限制、提升系统可靠性而生的杰作。它不仅仅是一个元件，更是您产品实现小型化、智能化的关键赋能者。

想象一下，在您最新设计的可穿戴设备、便携式医疗仪器或超薄型消费电子产品的核心板上，每一平方毫米都弥足珍贵。DMP210DUFB4-7以其X2-DFN1006-3的超微型封装，几乎不占用任何布局空间，让您的设计得以在方寸之间游刃有余。其20V的耐压与200mA的连续电流能力，完美适配电池供电场景下的负载开关、电源路径管理以及信号切换。无论是智能手环的背光控制，还是蓝牙耳机的充电管理，它都能以极低的导通电阻（低至5欧姆@4.5V驱动）确保能量高效传输，最大限度延长设备的续航时间。

选择DMP210DUFB4-7，意味着您选择了一种更可靠、更精简的设计哲学。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从严寒到酷热的各种极端环境下都能稳定工作，大大提升了终端产品的环境适应性与耐用性。其优化的栅极驱动特性（Vgs(th)最大仅1V）使得它能够被微控制器轻松驱动，简化了您的驱动电路设计，降低了整体BOM成本。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，遍布全球的DIODES代理商网络随时准备为您提供从样品到量产的全方位服务，确保您的项目从设计到落地一路畅通。

• 型号:DMP210DUFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在为空间有限的PCB布局发愁吗？DMP210DUFB4-7这颗P沟道MOSFET就是您的理想解决方案。它采用先进的3DFN超微型封装，能轻松集成到最紧凑的可穿戴设备、IoT模块或便携式电子产品中，为您节省每一寸宝贵的电路板空间。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、可靠的能量开关。凭借20V的耐压和200mA的电流能力，配合低至5欧姆的导通电阻，它能让您轻松管理电池供电设备的电源路径，实现高效的能量分配与开关控制，显著提升系统能效。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围，更能确保您的产品在各种严苛环境下稳定运行，让设计无后顾之忧。