DMP2108UCB6-7

在追求极致紧凑与高效能的设计竞赛中，您的下一个便携式设备或IoT节点是否还在为空间和功耗的平衡而苦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMP2108UCB6-7，这颗来自Diodes Incorporated的微型功率管理引擎，专为突破物理限制而生。它不仅仅是一个MOSFET阵列，更是您产品实现小型化、长续航与高可靠性的秘密武器。其超低的导通电阻与栅极电荷，意味着更少的能量损耗和更快的开关速度，直接转化为更长的电池寿命和更迅捷的系统响应，让您的产品在竞争中脱颖而出。

想象一下，在您掌中的智能手表、无线耳机，或是遍布各处的物联网传感器中，DMP2108UCB6-7正悄然发挥着核心作用。它完美适配8V至24V的宽输入电压范围，轻松应对电池供电设备的电压波动。无论是用于负载开关、电源路径管理，还是电机驱动中的H桥配置，其双P沟道设计都提供了极高的设计灵活性。在-55°C到150°C的严苛工作温度下，它依然稳定如山，确保您的设备无论身处冰天雪地还是炎热环境，都能持续可靠运行。这正是高端消费电子、工业控制及汽车辅助系统所渴求的坚韧品质。

选择DMP2108UCB6-7，就是选择了一份面向未来的投资。其6-UFBGA超薄封装尺寸仅为1.5x1.0mm，为您宝贵的PCB面积释放出巨大空间，让设计更自由。同时，其优异的电气特性（如55mΩ的低导通电阻）直接降低了温升和热管理复杂度，提升了整体系统效率。这意味着更少的散热设计、更低的BOM成本和更快的产品上市时间。要获得这颗性能与尺寸完美平衡的芯片，以及专业的技术支持，请联系我们信赖的DIODES代理商。立即行动，让DMP2108UCB6-7成为您下一代创新产品的强大心脏，共同定义小型化高效能的新标准！

• 型号:DMP2108UCB6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1510-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.25A 6UWLB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.25A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:269pF @ 10V
• 功率 - 最大值:840mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFBGA，WLBGA
• 供应商器件封装:U-WLB1510-6
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还在寻找一颗能同时征服空间与能效挑战的功率开关解决方案吗？DMP2108UCB6-7正是您的理想之选。这颗双P沟道MOSFET阵列，以其仅55毫欧的超低导通电阻和2.1nC的极小栅极电荷，为您带来极高的开关效率和极低的功率损耗，让您的便携设备续航更持久，响应更迅捷。

它支持8V至24V的宽电压输入，并能在-55°C到150°C的极端温度下稳定工作，为您在各种严苛环境中的应用提供坚实保障。其微型化的6-UFBGA封装（1.5x1.0mm）能极大节省您的电路板空间，让您轻松实现更紧凑、更优雅的产品设计。选择DMP2108UCB6-7，就是选择高效、可靠与极致紧凑的完美融合。