DMP2078LCA3-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能提供可靠负载开关，又能最大限度节省空间与功耗的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMP2078LCA3-7。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，以其卓越的性能和精巧的设计，正在重新定义紧凑型电源管理的可能性。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴产品或是任何对空间和电池续航有严苛要求的应用中，DMP2078LCA3-7能够轻松胜任。它那仅78毫欧的超低导通电阻，意味着在负载开关时，能量损耗被降至极低，宝贵的电池电量得以更长久地留存。无论是智能手机中复杂的电源路径管理，还是便携式医疗设备里需要精准控制的模块供电，这颗芯片都能确保系统运行得既冷静又高效。其高达3.4A的连续漏极电流能力，为各种小型化但功能强大的设备提供了坚实的动力保障。

选择DMP2078LCA3-7，就是选择了一份从容与安心。它采用先进的X4-DSN1006-3超小型封装，在PCB板上几乎不占空间，让您的布局设计拥有前所未有的自由度。同时，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了产品在极端环境下依然稳定如初，大大提升了终端设备的可靠性和耐用性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的DIODES代理商网络随时准备为您服务，从样品申请到批量交付，全程护航您的项目成功。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的秘密武器。

• 型号:DMP2078LCA3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 500mA，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:228 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:810mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X4-DSN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• 想获取DMP2078LCA3-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为您的便携设备寻找一颗高效、小巧的电源管理“心脏”吗？DMP2078LCA3-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET能为您轻松实现高效的负载开关与电源路径控制，其78毫欧的超低导通电阻和3.4A的电流能力，让您的设备运行更省电、动力更充沛。

它采用极致的X4-DSN1006-3封装，几乎不占用宝贵的电路板空间，让您的设计可以更加紧凑、灵活。无论是智能手机、TWS耳机还是IoT传感器，DMP2078LCA3-7都能以卓越的能效和可靠性，助您打造出更轻薄、续航更持久的下一代产品。