DMP2075UFDB-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗集双通道、高效率与超小封装于一体的解决方案，将如何彻底改变您的产品设计格局。这正是DMP2075UFDB-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个P沟道MOSFET阵列，更是您实现高密度、高可靠性电路设计的得力助手，让性能释放不再受限于物理空间。

无论是需要精密电源切换的便携式医疗设备，还是对功耗极其敏感的物联网传感器节点，或是追求快速响应的消费电子负载开关，DMP2075UFDB-13都能游刃有余。其20V的漏源电压与3.8A的连续漏极电流能力，为各种低压应用场景提供了坚实的保障。在智能穿戴设备中，它能高效管理电池供电路径，延长续航；在工业控制模块里，其稳定的双通道设计可实现信号的可靠隔离与切换，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。这颗芯片让复杂的设计变得简单，将工程师从繁琐的选型与布局中解放出来。

选择DMP2075UFDB-13，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与前瞻性的设计思维。其低至75毫欧的导通电阻显著降低了导通损耗，而仅8.8nC的栅极电荷则确保了快速的开关速度，整体提升了系统的能源利用效率。超薄的6-UDFN封装不仅节省了宝贵的PCB面积，更优化了散热性能。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，我们的DIODES中国代理网络随时待命，为您提供从样品到量产的全方位服务。让DMP2075UFDB-13成为您下一个爆款产品的“心脏”，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMP2075UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
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还在寻找一颗能同时搞定空间限制与性能要求的功率开关芯片吗？DMP2075UFDB-13正是为您而来的解决方案。这颗双P沟道MOSFET阵列，集成了20V耐压和3.8A的电流处理能力，让您能在超紧凑的6-UDFN封装内，轻松实现高效的电源路径管理和负载开关功能。

其卓越的75毫欧低导通电阻，能显著减少功率损耗，提升整体能效；而优化的栅极电荷特性，则确保了快速、干净的开关动作。无论是用于便携设备的电池保护、信号切换，还是作为通用负载开关，它都能让您的设计更高效、更可靠，助您快速将创意转化为具有市场竞争力的产品。