DMP2067LVT-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗仅TSOT-26封装的芯片，却能以高达4.2A的连续电流和低至45毫欧的导通电阻稳定工作，这不仅仅是参数的提升，更是设计自由度的飞跃。这正是DMP2067LVT-13为您带来的现实一款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，它重新定义了小尺寸下的高性能标准。

无论是需要精密电源轨控制的便携式设备，还是空间极其有限的物联网模块，甚至是高密度集成的服务器主板，DMP2067LVT-13都能游刃有余。其20V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，让它能从容应对从消费电子到工业环境的严苛挑战。当您的设计需要在紧凑的PCB上实现高效的负载开关或电源路径管理时，这颗芯片就是那枚关键棋子，它能显著降低导通损耗，提升整体系统效率，让产品的续航和可靠性脱颖而出。

选择DMP2067LVT-13，意味着您选择了一种更聪明的工程解决方案。它极低的栅极电荷（仅28nC）和驱动电压需求，让驱动电路设计变得异常简单，直接降低了周边元件成本和布局复杂度。其卓越的导热性能和1.2W的功率耗散能力，确保了在高负载下的长期稳定运行。更重要的是，通过正规的DIODES授权代理渠道获取，您不仅能保障芯片的原厂品质和稳定供应，还能获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产都一路畅通。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场的可靠伙伴。

• 型号:DMP2067LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1575 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的P沟道MOSFET吗？DMP2067LVT-13就是您的理想答案。它集成了20V耐压和4.2A连续电流能力，却精巧地封装在微小的TSOT-26里，让您轻松实现高密度板级设计。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的效率。仅需4.5V驱动电压，即可实现低至45毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关过程中的功率损耗。这意味着，无论是用于电池供电设备的负载开关，还是系统的电源分配，它都能让您的产品运行更凉爽、续航更持久。其宽泛的工作温度范围和优化的动态参数，确保在各种应用场景下都能提供高效、可靠的性能表现。