DMP2047UCB4-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗能够同时实现高效率开关、低导通损耗并节省宝贵PCB面积的解决方案，将如何彻底改变您的产品设计。答案，就藏在DMP2047UCB4-7这颗卓越的P沟道MOSFET之中。

这款来自Diodes Incorporated的明星产品，以其仅47毫欧的超低导通电阻（在1A，4.5V条件下）和高达4.1A的连续漏极电流能力，为您带来前所未有的高效能体验。这意味着在负载开关、电源路径管理或电机驱动等关键应用中，它能显著减少功率损耗，将更多电能转化为有效输出，直接提升终端产品的续航与性能。其紧凑的U-WLB1010-4封装，面积微小却能量巨大，完美适配对空间极其敏感的现代便携式设备、可穿戴产品及高密度主板设计，让您的布局游刃有余。

无论是智能手机中复杂的电源分配网络，还是平板电脑里精细的背光控制，亦或是IoT设备中要求严苛的电池保护电路，DMP2047UCB4-7都能轻松胜任。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各类严酷环境下的稳定可靠，而优化的栅极电荷（仅2.3nC @ 4.5V）则带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体响应更加敏捷。选择它，不仅是选择了一个元器件，更是选择了一种致力于提升产品竞争力和用户体验的设计哲学。当您需要可靠、高效且极具性价比的MOSFET解决方案时，信赖专业的DIODES芯片代理，将是您获取这颗强大芯片并得到全方位技术支持的最佳途径。

归根结底，在元器件选型的十字路口，DMP2047UCB4-7为您提供了无可辩驳的选型理由：它以业界领先的功率密度，将高性能、低损耗与微型化融为一体。这直接转化为您产品的核心优势更长的电池寿命、更小的产品体积、更低的发热以及最终更强的市场吸引力。立即将这款能效利器纳入您的设计，开启电源管理的新篇章，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借内在的卓越基因脱颖而出。

• 型号:DMP2047UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:218 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• 想获取DMP2047UCB4-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时又能节省电路板空间的“能量开关”？DMP2047UCB4-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有高达4.1A的电流处理能力和低至47毫欧的导通电阻，让您的电源路径管理或负载开关应用损耗更低、能效更高，直接为终端产品带来更持久的续航表现。

它采用先进的U-WLB1010-4超小型封装，在几乎不占用空间的前提下，提供了强大的功率处理能力，完美契合智能手机、便携式设备及高密度模块对微型化的极致追求。其优异的开关特性（栅极电荷仅2.3nC）和宽工作温度范围，更能确保您的设计在各种环境下稳定、高效地运行，让产品可靠性迈上新台阶。