DMP2040UVT-13

想象一下，当您的便携设备需要更长的续航，而内部空间却寸土寸金时，如何找到那个性能与尺寸的完美平衡点？答案就藏在DMP2040UVT-13这颗精巧的功率管理芯片之中。它不仅仅是一个P沟道MOSFET，更是您设计理念的强力执行者，以其卓越的能效和紧凑的TSOT26封装，为您的产品注入持久动力与可靠保障。

无论是智能手机中精细的负载开关，还是平板电脑里高效的电源路径管理，甚至是那些追求极致轻薄的TWS耳机充电仓，DMP2040UVT-13都能游刃有余地胜任。它高达13A的连续漏极电流承载能力，意味着在严苛的散热条件下依然能稳定输出澎湃能量，确保设备核心供电的绝对稳定。而低导通电阻的特性，则直接转化为更少的能量损耗和更低的发热，让您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借更长的使用时间和更凉爽的握持体验脱颖而出。

选择DMP2040UVT-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它让工程师从复杂的散热和空间布局难题中解放出来，将更多精力投入到产品创新本身。其出色的电气性能与微型封装的结合，完美适配了现代消费电子对高集成度和高可靠性的双重追求。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。这颗芯片所代表的，是Diodes Incorporated对品质的坚持，也是助力您的产品在市场中赢得用户信赖的坚实基石。

• 型号:DMP2040UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta），13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:NHD-1.5-128128G，SSD1357
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:834 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 想获取DMP2040UVT-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为空间有限的PCB板上寻找一颗既强悍又小巧的电源开关而烦恼吗？DMP2040UVT-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，采用先进的TSOT26微型封装，却拥有高达13A的强劲电流处理能力，让您轻松驾驭各种高负载开关应用。

它的核心价值在于高效与可靠。优异的电气参数意味着更低的导通损耗，能显著提升系统的整体能效，延长电池续航。无论是用于电源分配、负载开关还是电机控制，DMP2040UVT-13都能确保稳定流畅的运行，大幅提升您最终产品的市场竞争力。