DMP2035UVTQ-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗仅TSOT-26封装的芯片，却能以高达7.2A的连续电流和低至35毫欧的导通电阻稳定工作，这不仅仅是参数的提升，更是设计自由度的革命性飞跃。这就是DMP2035UVTQ-13为您带来的现实一款专为严苛应用而生的P沟道MOSFET，它将高性能与微型化完美融合，直接命中现代电子设计的核心痛点。

无论是新能源汽车中不断电的电池管理系统，还是工业自动化设备里需要精准控制的负载开关，甚至是紧凑型消费电子产品的电源路径管理，DMP2035UVTQ-13都能游刃有余。其宽泛的-55°C至150°C结温工作范围，配合AEC-Q101车规级认证，意味着它不仅能适应极端环境，更具备了进入高可靠性要求领域的通行证。当您的设计面临高温、振动或需要长久稳定运行的挑战时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴，它能确保系统核心供电环节坚如磐石，杜绝因功率器件失效导致的整机风险。

选择DMP2035UVTQ-13，就是选择了一种面向未来的设计思路。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让您的系统效率轻松攀上新高峰，同时减少了散热设计的压力。1.8V的低驱动电压门槛，使其能够与主流低压微控制器直接对话，简化了驱动电路，节省了宝贵的PCB空间和BOM成本。更重要的是，通过权威的DIODES代理进行采购，您获得的不仅仅是一颗芯片，更是从技术支援到稳定供货的全链条保障，让您的产品从研发到量产全程无忧。别再让功率器件成为您创新蓝图上的短板，立即采用DMP2035UVTQ-13，释放您设计的全部潜能，打造出更高效、更紧凑、更可靠的下一代产品。

• 型号:DMP2035UVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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您正在寻找一颗既能承载大电流，又足够小巧高效的功率开关吗？DMP2035UVTQ-13正是您的理想答案。这颗P沟道MOSFET拥有20V的耐压和7.2A的强大电流处理能力，而其导通电阻低至惊人的35毫欧，能极大程度地减少导通损耗，直接提升您的系统整体能效。

它专为空间受限的高性能应用而优化。采用超小的TSOT-26封装，却能轻松应对汽车电子、便携设备等领域的严苛要求。低至1.8V的驱动电压让您可以直接用MCU驱动，简化设计；优异的开关特性（Qg仅23.1nC）确保高速切换下的低损耗。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。