DMP2035UVT-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而烦恼？想象一下，一颗仅TSOT-26封装大小的芯片，却能稳健承载高达7.2A的连续电流，同时将导通电阻牢牢控制在35毫欧以下这并非遥不可及的未来科技，而是DMP2035UVT-13为您带来的现实解决方案。作为Diodes Incorporated旗下符合严苛AEC-Q101车规标准的P通道MOSFET，它生来就是为了应对高可靠性应用中的挑战，将卓越的电气性能浓缩于方寸之间，让您的产品在激烈的市场竞争中率先赢得“芯”优势。

无论是新能源汽车的电池管理系统、车载信息娱乐设备的负载开关，还是工业自动化中需要精密控制的功率路径，DMP2035UVT-13都能游刃有余。其20V的漏源电压和仅需1.8V即可高效驱动的特性，特别适合由低电压逻辑电路直接控制的场景，大大简化了驱动电路设计。在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作，意味着即使面对极端环境温度波动，它也能保障系统持续、可靠地运行，这种坚韧不拔的品质正是高端制造所追寻的。

选择DMP2035UVT-13，您选择的不仅仅是一个高性能的电子元件，更是一份对产品长期稳定性的承诺。其低至23.1nC的栅极电荷和优化的输入电容，显著降低了开关损耗，提升了整体系统的能效，让您的终端产品更节能、发热更少。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和久经考验的可靠性，使其在诸多存量项目和特定高要求设计中依然具有不可替代的价值。要获取这颗经典芯片或寻找其升级替代方案，联系专业的DIODES代理商是您获取精准技术支持和可靠货源的最佳途径。让DMP2035UVT-13的卓越基因，融入您的下一个创新设计，共同开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:DMP2035UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内实现大电流高效控制的“能量开关”？DMP2035UVT-13正是为此而生！这颗来自Diodes Incorporated的P通道MOSFET，拥有20V耐压和高达7.2A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅35毫欧@4.5V），能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为严苛环境打造，符合AEC-Q101车规标准，工作温度横跨-55°C至150°C，确保在汽车电子或工业应用中的卓越可靠性。采用微小的TSOT-26封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其低至1.8V的驱动电压让您能轻松与各类低压微处理器直接对接，简化设计流程。选择DMP2035UVT-13，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且易于驾驭的“动力之心”。