DMP2035U-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗仅SOT-23-3封装的器件，却能以高达3.6A的连续电流和低至35毫欧的导通电阻稳定工作，将效率与紧凑完美融合这正是DMP2035U-7为您带来的颠覆性体验。作为Diodes Incorporated精心打造的P沟道MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的核心引擎。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是空间受限的电机驱动模块，DMP2035U-7都能游刃有余。其20V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，让它能在从消费电子到工业控制的广阔天地中稳定发挥。当您的设计面临散热挑战或布局瓶颈时，这颗芯片高达810mW的功率耗散能力和微小的封装尺寸，将成为您最可靠的解决方案，让复杂的设计变得简洁而高效。

选择DMP2035U-7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它极低的栅极电荷和优化的驱动电压，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力您的终端产品延长续航、减少发热。其有源的产品状态和成熟的供应链，确保了快速响应与稳定供应。当您需要专业的技术支持与供货保障时，我们的DIODES代理商网络随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。立即采用DMP2035U-7，开启能效与密度双赢的新篇章，让您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMP2035U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1610 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:810mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为寻找一颗既高效又节省空间的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2035U-7正是您的理想答案。这颗芯片能在高达20V的电压下，轻松承载3.6A的连续电流，而其导通电阻在4.5V驱动时仅35毫欧，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

得益于其仅1.8V的最低驱动电压和优化的栅极电荷，它能被轻松驱动，实现快速、高效的开关动作。无论是用于电池供电设备的负载开关，还是空间紧凑的电机控制、电源转换电路，DMP2035U-7都能以SOT-23-3的极小身形，发挥出强大的性能，让您的设计在性能和体积上取得完美平衡。