DMP2021UTSQ-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高效率与高可靠性的MOSFET，将如何彻底改变您的产品设计。现在，答案就在DMP2021UTSQ-13。这款来自Diodes Incorporated的卓越产品，以其8V至24V的宽泛BVDSS范围和出色的电流承载能力，正成为工程师们应对严苛应用挑战的秘密武器。

无论是需要紧凑布局的便携式设备，还是对功率密度要求极高的服务器电源，DMP2021UTSQ-13都能游刃有余。它在25°C环境温度下可提供7.4A的连续漏极电流，而在更优的散热条件下（Tc），电流承载能力更能跃升至18A，这意味着它能为您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关提供充沛而稳定的动力核心。其TSSOP-8封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了热性能，让系统在长时间高负荷运行时依然保持冷静。

选择DMP2021UTSQ-13，就是选择了一份从容与自信。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、缩短开发周期的关键助力。其“有源”的产品状态确保了供应的稳定与可靠，让您的量产计划无后顾之忧。当您需要可靠的技术支持和货源保障时，我们的官方DIODES代理商网络随时准备为您服务。让这颗集高性能与小尺寸于一身的MOSFET，成为您下一个爆款产品中最闪耀的明星，驱动无限可能，赢得市场先机。

• 型号:DMP2021UTSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
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还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的MOSFET吗？DMP2021UTSQ-13正是为您而来的解决方案。它拥有8V至24V的漏源电压范围，并能提供高达18A（Tc）的强劲电流输出，让您的电源转换和电机控制应用运行得更高效、更强劲。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭高功率密度设计，其紧凑的TSSOP-8封装为您节省每一寸宝贵的电路板空间，同时卓越的电气性能确保系统稳定可靠。无论是提升能效还是优化布局，DMP2021UTSQ-13都是您实现设计目标的得力助手。