DMP2021UTS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个仅1.3W的功率耗散，却能在高达150°C的结温下稳定输出18A电流的解决方案，这不仅仅是参数的提升，更是设计自由度的飞跃。这正是DMP2021UTS-13为您带来的核心价值用更小的体积和更低的损耗，释放更大的能量。

无论是紧凑型笔记本电脑的电池保护电路，还是便携式电动工具的高效电机驱动，甚至是高密度服务器电源中的负载开关，这颗P通道MOSFET都能游刃有余。其20V的漏源电压和低至16毫欧的导通电阻，意味着在4.5V驱动下，它能以极低的压降和温升处理大电流，直接转化为更长的电池续航、更快的响应速度和更可靠的系统运行。在-55°C到150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持性能稳定，让您的产品从容应对各种严苛环境。

选择DMP2021UTS-13，就是选择一种经过验证的可靠性与卓越性能的平衡。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力的关键组件。其8-TSSOP的表面贴装封装，专为现代高密度PCB设计而生，帮助您节省宝贵的板级空间。当您需要将如此精密的性能转化为实际产品时，确保供应链的可靠与正宗至关重要。我们作为官方授权的DIODES授权代理，不仅保证您获得原厂正品，更能提供专业的技术支持和稳定的供货保障，让您的创新之旅毫无后顾之忧。立即采用DMP2021UTS-13，为您的下一个设计注入高效与可靠的基因。

• 型号:DMP2021UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173
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还在寻找一颗能兼顾高性能与高集成度的P通道MOSFET吗？DMP2021UTS-13正是为您而生的解决方案。它能让您轻松驾驭高达18A的连续电流，凭借低至16毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗和发热，直接提升您产品的整体能效和可靠性。

这颗芯片采用紧凑的8-TSSOP封装，非常适合空间受限的现代电子设备。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和1.8V的低驱动电压，让您的设计在各类应用场景中从消费电子到工业控制都能稳定高效地运行。选择DMP2021UTS-13，就是为您的电源管理、电机驱动或负载开关电路选择一个强大而可靠的心脏。