DMP2003UPS-13

想象一下，当您的电源管理系统需要在极小的空间内处理高达150A的连续电流时，您会选择什么样的解决方案？传统的方案往往意味着复杂的并联设计、庞大的散热器和妥协的性能。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出DMP2003UPS-13，这颗来自Diodes Incorporated的P沟道功率MOSFET，正是为突破极限而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现高密度、高效率电源设计的终极武器。

在当今追求极致能效和紧凑设计的时代，DMP2003UPS-13的价值在于其无与伦比的功率密度。采用先进的PowerDI5060-8封装，这颗芯片在指甲盖大小的面积上，实现了惊人的150A（Tc）电流承载能力。其导通电阻（Rds(on)）低至2.2毫欧（@25A，10V），这意味着在您的大电流应用，如服务器电源、高端显卡的VRM（电压调节模块）、电动工具或无人机电池管理系统（BMS）中，它能将导通损耗降至最低，从而显著提升整体系统效率，并大幅简化散热设计。无论是为数据中心节省每一度电，还是延长便携设备的续航，它都是您可靠的核心。

选择DMP2003UPS-13，就是选择了一种面向未来的设计自信。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速、干净的开关特性，让您的开关电源工作在更高的频率，从而可以使用更小、更轻的磁性元件。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质。当您需要稳定可靠的供应链和专业技术支持时，我们的DIODES代理商网络随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让DMP2003UPS-13成为您下一个爆款产品的强大心脏，共同开启高效能源管理的新篇章。

• 型号:DMP2003UPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:177 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8352 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为高电流应用的散热和空间布局头疼吗？DMP2003UPS-13就是为您量身打造的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达150A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的2.2毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内实现强大的功率切换。优化的开关参数（如栅极电荷）确保快速响应，提升整体电源转换效率。无论是用于负载开关、电机驱动还是电池保护电路，DMP2003UPS-13都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，是追求卓越性能工程师的理想选择。