DMP10H4D2S-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中，您是否正在寻找一款既能承受高压挑战，又能以微小身躯实现精准控制的功率开关解决方案？答案就在DMP10H4D2S-7。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其100V的坚固耐压和仅SOT-23的迷你封装，正在重新定义小型化设备中功率管理的可能性。它不仅仅是一个晶体管，更是您产品提升可靠性、简化布局、迈向更高能效的得力助手。

想象一下，在空间极其宝贵的便携式医疗设备、智能穿戴装置或高密度通信模块中，每一平方毫米的电路板面积都价值连城。DMP10H4D2S-7的SOT-23封装让您能够将强大的功率开关功能轻松嵌入最紧凑的设计中，彻底解放您的布局想象力。其高达100V的漏源电压（Vdss）为您提供了宽裕的安全边际，从容应对各种电压波动和瞬态冲击，确保系统核心负载的供电稳定与安全。无论是作为电源路径管理、负载开关，还是信号隔离与电平转换，它都能以高达270mA的连续电流处理能力，安静而高效地完成使命。

选择DMP10H4D2S-7，意味着您选择了一种经过优化的平衡艺术。它在4V至10V的驱动电压下即可实现优异的导通性能，极低的栅极电荷（Qg最大值仅1.8nC）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于追求高频高效运作的现代电子系统至关重要。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性，从严寒到酷热，性能始终如一。当您需要可靠、易用且性能卓越的P-MOSFET时，DIODES授权代理将是您获取正品保障与专业技术支持的最佳伙伴。让DMP10H4D2S-7成为您下一个创新项目的“隐形冠军”，以微小之躯，承载稳定与高效的核心价值，助力您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:DMP10H4D2S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:87 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您是否希望为您的紧凑型设计找到一颗既强大又可靠的“心脏级”开关？DMP10H4D2S-7正是为您而来。这颗P沟道MOSFET能轻松胜任高达100V电压、270mA电流的开关任务，让您在电源管理、负载切换等关键电路中游刃有余。

它采用高效的MOSFET技术，在4V至10V的低驱动电压下即可实现优异的导通，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应与低功耗，显著提升系统整体能效。其坚固的SOT-23封装和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，让您的产品无论身处何种环境，都能保持稳定可靠的运行。选择它，就是为您的设计注入一份高效与安心。