DMP10H4D2S-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压，又能在紧凑空间内稳定工作的P沟道MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出DMP10H4D2S-13，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，正是为破解您的设计难题而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性、简化电路布局、赢得市场竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的电池管理系统、便携式设备电源路径控制，或是工业级接口保护电路中，DMP10H4D2S-13正以其高达100V的漏源电压和仅4.2欧姆的低导通电阻，默默守护着系统的安全与高效。它能在-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作，确保您的产品无论身处冰天雪地还是炎热环境，都能持续可靠运行。其微小的SOT-23-3封装，让您在寸土寸金的PCB板上实现更灵活、更密集的布局，为产品的小型化与轻量化设计释放无限可能。

选择DMP10H4D2S-13，就是选择了一份经得起考验的品质与性能保障。它极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力于提升系统整体能效。无论是用于负载开关、电平转换，还是信号隔离，它都能以卓越的电气特性，让您的设计脱颖而出。要获得这颗性能强劲且供货稳定的芯片，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行采购，这不仅是对正品品质的保证，更是获得完善技术支持和供应链服务的最佳途径。让DMP10H4D2S-13成为您下一个成功项目的坚实基石，开启高效、可靠的电控新篇章。

• 型号:DMP10H4D2S-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:87 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时兼顾高效率与小体积的解决方案吗？DMP10H4D2S-13正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有100V的高耐压和仅270mA的连续漏极电流能力，配合低至4.2欧姆的导通电阻，能让您的电源管理或信号切换电路损耗更低、运行更凉爽。

它采用经典的SOT-23-3表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内完成部署，轻松实现产品的小型化设计。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和稳定的性能表现，确保您的应用无论面对何种环境挑战，都能持续可靠地工作。选择DMP10H4D2S-13，就是为您的设计注入一份高效与安心的保障。