DMP10H400SE-13

想象一下，您的下一个电源管理或负载开关设计，能否在紧凑的空间内实现高效、可靠的功率控制？这正是DMP10H400SE-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、确保稳定运行的关键伙伴。其100V的漏源电压和高达6A（Tc）的连续漏极电流能力，意味着它能在更广泛的应用中游刃有余地处理功率切换任务，为您带来前所未有的设计自由度与信心。

无论是工业自动化设备中的电机驱动与电源分配，还是消费电子中需要精密控制的负载开关与电池管理，甚至是通信基础设施的功率路径保护，这颗芯片都能完美胜任。它卓越的导通电阻特性（低至250毫欧@5A,10V）直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，这意味着您的系统效率更高，散热设计更简单，产品在长时间运行下的可靠性也得到显著增强。面对日益严苛的能效标准和紧凑的产品内部空间，选择一款像DMP10H400SE-13这样在性能和封装上取得绝佳平衡的器件，无疑是明智之举。

那么，为什么众多工程师在众多选择中青睐于它？答案在于其综合价值。SOT-223封装在提供出色散热能力（功率耗散高达13.7W Tc）的同时，保持了表面贴装的便利性与空间节省优势。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）确保了它在极端环境下依然稳定如一，大大拓宽了产品的适用场景。更低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效再上一个台阶。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时，选择与值得信赖的DIODES一级代理合作，无疑是确保项目顺利推进、获取正品保障与最优供应链服务的最佳途径。让DMP10H400SE-13成为您下一个成功设计的强大引擎，开启高效、可靠的产品新篇章。

• 型号:DMP10H400SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），13.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取DMP10H400SE-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一款既能承受高压大电流，又兼具高效与紧凑的功率开关解决方案而烦恼吗？DMP10H400SE-13正是为您量身打造的答案。这颗100V P沟道MOSFET，能够轻松驾驭高达6A的连续电流，其优异的低导通电阻特性，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源管理或负载开关设计效率倍增，运行更凉爽、更持久。

它采用热性能卓越的SOT-223封装，在节省宝贵PCB空间的同时，确保了出色的功率耗散能力。无论是快速切换负载，还是在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，它都能游刃有余。选择DMP10H400SE-13，就是选择为您的产品注入一颗高效、可靠的心脏，让复杂的设计变得简单，让性能表现脱颖而出。