DMP1055USW-13

想象一下，当您的便携式设备需要更长的续航，当您的电源管理方案追求极致的紧凑与高效，一颗小小的功率器件能否成为破局的关键？这正是DMP1055USW-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款高性能P沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的得力助手。在12V的电压舞台上，它能持续承载高达3.8A的电流，而其导通电阻在4.5V驱动下可低至48毫欧，这意味着更少的能量在开关过程中转化为热量被浪费，直接将更高的效率转化为您产品的更长运行时间或更小的散热设计压力。

它的身影可以活跃在众多前沿应用中。无论是需要精密电源管理的智能手机、平板电脑，还是对空间极其苛刻的TWS耳机充电仓、智能手表，甚至是无人机、便携式医疗设备中，DMP1055USW-13都能完美胜任负载开关、电池保护或电源路径管理的角色。其SOT-363的超紧凑封装，如同一颗微型的能量调度大师，在方寸之间实现强大的功率控制，让您的产品设计可以更加轻薄、时尚，同时毫不妥协于性能。面对-55°C至150°C的宽广工作温度范围，它展现出卓越的环境适应性，确保您的设备在严寒或酷热中依然稳定可靠。

选择DMP1055USW-13，就是选择了一种经过市场验证的高性价比与高可靠性方案。它平衡了性能、尺寸与成本，为您提供了无需过度设计的优质选项。较低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，有助于提升系统整体动态性能。当您致力于打造下一款明星产品时，与可靠的DIODES授权代理合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，更能获得专业的技术支持，让这颗强大的芯片从图纸到量产一路畅通。让DMP1055USW-13成为您电路中的核心动力开关，开启能效与空间设计的新篇章。

• 型号:DMP1055USW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1028 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-363
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 想获取DMP1055USW-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗既能节省宝贵PCB空间，又能提供强劲可靠开关性能的MOSFET？DMP1055USW-13正是您的理想答案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有12V耐压和3.8A的连续电流能力，其低至48毫欧的导通电阻能显著降低开关损耗，让您的便携设备续航更持久，系统运行更凉爽。

它采用极致的SOT-363封装，让您能在最紧凑的空间内实现高效的负载开关、电源隔离或电机驱动。优异的电气参数，如低栅极电荷，确保快速响应，提升整体能效。无论是智能穿戴、移动电源还是物联网设备，它都能让您的设计更轻薄、性能更卓越。