DMNH4006SK3-13

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能在40V电压下提供高达90A峰值电流的MOSFET，同时将导通电阻控制在惊人的6毫欧这不仅仅是参数，这是性能的飞跃。今天，我们向您隆重介绍DMNH4006SK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生。

当您将它部署在DC-DC转换器或电机驱动电路中，其卓越的低导通电阻特性意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的整体效率和更凉爽的运行温度。无论是服务器电源单元需要稳定的高电流输出，还是电动工具要求瞬间爆发强劲扭矩，DMNH4006SK3-13都能游刃有余地应对。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了即使在严苛的工业环境或汽车电子应用中也具备出色的可靠性，让您的产品无惧挑战。

选择DMNH4006SK3-13，就是选择了一种更智能的功率管理方案。它不仅拥有10V标准驱动电压带来的易用性，其优化的栅极电荷和输入电容参数，更能帮助您设计出开关速度更快、驱动电路更简洁的解决方案，从而有效降低系统的整体复杂度和成本。我们深知，可靠的供应链与技术支持同样关键，这正是我们作为值得信赖的DIODES授权代理所承诺提供的价值确保您能稳定获取这颗高性能芯片，并获得专业的技术支持，让您的创新之旅畅通无阻。

从消费电子到工业自动化，从能源基础设施到下一代汽车电子，对高效、紧凑、可靠功率开关的需求从未如此迫切。DMNH4006SK3-13以其TO-252（D-Pak）封装提供的优异散热能力和表面贴装的便利性，完美平衡了性能与空间。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的强大引擎。立即采用DMNH4006SK3-13，开启您的高效电能转换新纪元。

• 型号:DMNH4006SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 86A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能同时满足高效率、大电流和卓越可靠性的“心脏”吗？DMNH4006SK3-13 N沟道MOSFET正是您的理想答案。它专为 demanding 的开关应用而设计，让您轻松驾驭高达40V的电压和90A的峰值电流，而其低至6毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接为您带来更高效的系统性能和更优的散热表现。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源转换器、电机驱动器或负载开关设计脱胎换骨。凭借其优化的动态参数（如低栅极电荷），它能实现更快的开关速度，减少开关损耗，从而让您的整体方案更高效、更紧凑。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向未来的高可靠性应用，DMNH4006SK3-13都是您值得信赖的功率核心，助您轻松应对挑战，赢得先机。