DMNH10H028SPSQ-13

想象一下，当您的电源转换系统需要在100V高压下稳定承载40A大电流时，您最担心的是什么？是开关损耗导致的效率下降，还是散热问题引发的可靠性风险？现在，DMNH10H028SPSQ-13的到来，正是为了彻底解决这些核心痛点。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的28毫欧超低导通电阻，在20A电流、10V驱动电压下就能实现极低的传导损耗，这意味着您的系统效率将获得显著提升，而发热量却能得到有效控制。

无论是工业自动化中的电机驱动，还是通信基站的高密度电源模块，甚至是新能源车载充电器，DMNH10H028SPSQ-13都能游刃有余。其100V的漏源电压和高达175°C的结温工作范围，赋予了它应对严苛环境与复杂工况的强悍底气。PowerDI5060-8的紧凑封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热性能更能确保芯片在长时间高负载运行下依然稳定可靠。当您需要构建更高效、更紧凑、更耐用的功率解决方案时，这颗芯片就是您值得信赖的基石。

选择DMNH10H028SPSQ-13，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计思路。它极低的栅极电荷（仅36nC @ 10V）和输入电容，能大幅降低开关损耗，让您的开关电源工作在更高频率成为可能，从而进一步缩小磁性元件的体积。从原型设计到批量生产，与可靠的DIODES授权代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货，更能得到专业的技术支持，确保这颗芯片的潜力在您的产品中得到百分之百的释放。让DMNH10H028SPSQ-13成为您下一个爆款产品的强大心脏，共同开启高效能源转换的新篇章。

• 型号:DMNH10H028SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2245 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？DMNH10H028SPSQ-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能为您轻松驾驭100V电压和40A电流，其核心魅力在于28毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升系统整体效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，非常适合空间受限的高密度设计。无论是同步整流、电机控制还是DC-DC转换，它都能让您以更少的散热投入，实现更稳定、更高效的性能输出，是工程师打造下一代高性能电源产品的理想选择。