DMNH10H028SK3-13

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是为散热问题所困扰时，是否曾渴望一颗能在高功率与低损耗间取得完美平衡的“心脏”？答案就在DMNH10H028SK3-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和高达55A的连续漏极电流能力，为您的高功率应用注入强劲而稳定的动力。更令人振奋的是，它在10V驱动下导通电阻低至惊人的28毫欧，这意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升，让产品性能与可靠性双双跃升。

无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是工业电机驱动里需要快速响应的功率开关，甚至是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电器(OBC)，DMNH10H028SK3-13都能游刃有余。其优异的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速干净的开关动作，显著降低开关损耗，让整个系统运行起来更加“安静”且高效。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则赋予了它应对各种恶劣环境挑战的底气，从酷热的车间到严寒的户外，性能始终如一。

选择DMNH10H028SK3-13，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计思路。它采用成熟的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在提供出色散热能力的同时，也便于自动化生产，帮助您优化制程、降低成本。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的DIODES芯片代理将成为您坚实的后盾。这颗芯片所代表的，正是以更少的能源损耗，驱动更大的创新价值，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的能效表现脱颖而出。

• 型号:DMNH10H028SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 55A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2245 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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想象一下，一颗芯片就能让您的电源模块效率显著提升，同时大幅降低发热困扰。DMNH10H028SK3-13正是为此而生。它是一款100V/55A的N沟道MOSFET，其核心魅力在于极低的28毫欧导通电阻，能有效减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的电能转换与控制。无论是进行快速的负载开关，还是在同步整流电路中扮演关键角色，其优异的开关特性（低栅极电荷）都能确保快速响应，提升整体系统动态性能。结合TO-252封装良好的散热能力，它帮助您构建出更紧凑、更可靠的功率解决方案，直面高功率密度设计的挑战。