DMN95H8D5HCTI

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的稳定性和效率而困扰？当系统需要在950V的高压下稳定切换，同时还要兼顾紧凑空间与散热挑战时，选择一颗性能卓越的MOSFET至关重要。今天，我们为您带来一个能够从容应对这些挑战的解决方案DMN95H8D5HCTI。这款来自Diodes Incorporated的高压N沟道MOSFET，以其950V的惊人耐压能力和出色的导通特性，正重新定义着高效功率转换的边界。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或工业照明系统中，这颗芯片能够成为能量流动的“智能守门员”。它凭借仅7欧姆的低导通电阻（在1A, 10V条件下），显著降低了开关过程中的功率损耗，这意味着更少的热量产生和更高的整体系统效率。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要精密调光的LED驱动，DMN95H8D5HCTI都能确保能量以最经济、最可控的方式传递。其高达30W的功率耗散能力，配合经典的ITO-220AB封装，为散热设计提供了坚实的基础，让您的产品即使在-55°C到150°C的严苛温度范围内也能稳定运行，寿命与可靠性双双得到保障。

为何众多工程师在高压应用选型时，会越来越倾向于选择它？答案在于其综合价值。它不仅提供了高压平台所需的安全裕度，其优化的栅极电荷（Qg最大值仅7.9nC）和输入电容特性，还意味着它更容易被驱动，能够实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，提升系统频率响应。这对于追求高功率密度和动态性能的现代电源设计来说，是无可替代的优势。当您需要可靠的供应链与技术支持时，我们的DIODES中国代理网络随时待命，确保您能便捷地获得这颗高性能芯片以及全方位的应用支持。选择DMN95H8D5HCTI，不仅仅是选择了一个元器件，更是为您的产品选择了一份从容应对高压挑战的底气、一份提升能效的承诺，以及一个值得信赖的长期合作伙伴。让它成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

• 型号:DMN95H8D5HCTI
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:ITO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:470 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ITO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
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您正在寻找一颗能轻松驾驭近千伏高压，同时保持高效、可靠开关性能的“核心开关”吗？DMN95H8D5HCTI正是为此而生。这款950V N沟道MOSFET，能为您的高压开关电源、电机驱动或PFC电路提供坚固的基石。

它凭借低至7欧姆的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。优化的栅极电荷和电容特性，让驱动更轻松，实现快速干净的开关动作，从而提升整体系统的响应速度与功率密度。其坚固的ITO-220AB封装和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种挑战性环境中都能稳定工作，极大增强了您最终产品的耐用性和市场竞争力。