DMN67D8LDW-13

想象一下，当您的便携式设备需要同时控制多个微型负载，而PCB空间却寸土寸金时，您会如何选择？答案就藏在这颗集高效与紧凑于一身的双通道MOSFETDMN67D8LDW-13之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您应对空间与性能双重挑战的智慧解决方案。凭借其卓越的60V耐压能力和仅SOT-363的超微型封装，它能在最狭小的空间内，为您提供稳定可靠的双路开关控制，让设计从此摆脱束缚，灵感自由驰骋。

无论是智能穿戴设备中背光LED的精准调光，还是便携式医疗仪器里传感器电源的智能管理，甚至是物联网模块中无线收发电路的快速切换，DMN67D8LDW-13都能游刃有余。其230mA的连续漏极电流和低至5欧姆的导通电阻，意味着更低的功耗与更少的热量产生，直接提升了终端产品的续航时间与可靠性。在-55°C到150°C的宽广工作温度范围内，它始终如一地稳定工作，确保您的产品无论是在严寒户外还是高温环境下，都能表现卓越。选择与可靠的DIODES芯片代理合作，您获得的不仅是一颗高品质芯片，更是从技术选型到供应链稳定的全方位支持。

那么，为何众多工程师在面临小型化、低功耗设计时，会毫不犹豫地选择DMN67D8LDW-13？原因在于它完美平衡了性能与体积。它用极低的栅极电荷（仅0.82nC）和输入电容（22pF），实现了快速的开关响应，这对于需要高频切换的应用至关重要，能显著提升系统整体效率。其双N通道的集成设计，直接节省了宝贵的板级空间和物料成本，让您的BOM表更加精简。归根结底，选择DMN67D8LDW-13，就是选择了一种更聪明、更高效的设计哲学以最小的物理 footprint，释放最大的产品价值，助力您的创意在激烈的市场竞争中率先脱颖而出。

• 型号:DMN67D8LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在为电路板空间不足而烦恼吗？DMN67D8LDW-13正是为您解忧的利器。这颗来自Diodes Incorporated的双N通道MOSFET阵列，以其SOT-363的超紧凑身躯，集成了两路独立的60V、230mA开关通道，让您能在指甲盖大小的空间内，轻松实现复杂的电源切换与信号路径管理。

它凭借低至5欧姆的导通电阻和极低的栅极驱动需求，能显著降低系统的导通损耗和驱动功耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。无论是用于便携设备的负载开关、LED驱动，还是信号隔离，它都能让您的设计化繁为简，性能稳步提升，助您快速将可靠的产品推向市场。