DMN67D8L-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一颗能在60V电压下稳定工作，同时又能将空间占用和功耗降至最低的N沟道MOSFET？答案就在DMN67D8L-7。这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，正以其卓越的性能，重新定义小信号控制的效率边界，为您的创新设计注入强劲而可靠的动力。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或是精密的工业传感器模块中，DMN67D8L-7正悄然发挥着关键作用。它那仅210mA的连续漏极电流和低至5欧姆的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让设备运行更凉爽，电池续航更持久。其高达60V的漏源电压承受能力，为电路提供了宽裕的安全余量，确保在电压波动时依然稳定如山。无论是用于电源管理中的负载开关、信号路径切换，还是电机驱动中的预驱动级，它都能以极高的响应速度和极低的栅极电荷（仅0.82nC），实现干净利落的开关动作，大幅提升系统整体效率。

选择DMN67D8L-7，就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其标准的SOT-23封装，兼容业界通用的贴装工艺，能轻松融入您的生产线，加速产品上市。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其无惧严寒酷暑，适应从消费电子到汽车电子的各种苛刻环境。更重要的是，当您通过正规的DIODES授权代理进行采购时，您获得的不仅是一颗高品质的芯片，更是从源头保障的原厂正品、稳定的供货支持以及专业的技术服务，为您的项目成功加上一道坚实的保险。让这颗高效、紧凑、可靠的MOSFET，成为您下一个爆款产品中不可或缺的“智慧开关”。

• 型号:DMN67D8L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:340mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？让DMN67D8L-7来为您解决！这颗N沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电子守门员”，能在高达60V的电压下，以极低的损耗（导通电阻仅5欧姆）精准控制210mA的电流通断。

它采用微型的SOT-23封装，为您节省宝贵的PCB空间，而其超低的栅极电荷和输入电容，让开关动作迅捷无比，显著减少开关损耗，提升系统整体能效。无论是用于电池供电设备的节能开关，还是信号链路的智能切换，它都能让您的设计运行更凉爽、响应更快速、续航更持久。