DMN67D7L-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现精准高效开关控制的微型MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出DMN67D7L-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对高性能与高可靠性的双重期待而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现性能飞跃、赢得市场竞争的关键引擎。

想象一下，在您精巧的便携式设备、高效的电源模块或是灵敏的负载开关电路中，DMN67D7L-7正以其高达60V的漏源电压和210mA的连续漏极电流，默默守护着系统的稳定运行。其卓越的5V/10V低驱动电压特性，意味着它能够被轻松驱动，显著降低系统整体功耗，让您的产品在续航与性能上脱颖而出。无论是需要快速响应的信号切换，还是对空间要求极为苛刻的微型化设计，这款采用SOT-23-3封装的芯片都能完美融入，成为您电路板上最值得信赖的“开关大师”。

选择DMN67D7L-7，就是选择了一份安心与远见。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，大大提升了产品的环境适应性和使用寿命。极低的栅极电荷和输入电容，带来了更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于提升系统效率、减少发热至关重要。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES一级代理身份将为您提供从选型到量产的全方位保障。让这颗集高性能、小体积与高可靠性于一身的芯片，成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效能电子设计的新篇章。

• 型号:DMN67D7L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:570mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路中的开关控制不够迅速、高效而困扰吗？让DMN67D7L-7来为您解决！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，是专为高效能、紧凑型应用而生的开关利器。它能轻松处理高达60V的电压和210mA的电流，凭借其低至5V的驱动门槛和优异的开关特性，让您的系统响应更快、能耗更低。

无论是便携设备中的电源管理，还是信号路径的精准切换，它都能让您的设计游刃有余。其微小的SOT-23-3封装，为您节省宝贵的电路板空间，而宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“心脏”。