DMN67D7L-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一颗能够平衡性能、可靠性与成本的N沟道MOSFET？答案或许就藏在DMN67D7L-13之中。这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，正以其卓越的电气特性和坚固的物理设计，重新定义小信号控制与功率转换的效率边界。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密传感器模块中，需要一颗能够承受高达60V电压、精准控制微小电流的开关。DMN67D7L-13正是为此而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现高效能量管理、延长电池寿命、提升系统稳定性的得力助手。其210mA的连续漏极电流能力，配合低至5欧姆的导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的产品在长时间运行中依然保持冷静与高效。无论是用于负载开关、电平转换，还是电机驱动中的预驱动级，它都能以出色的响应速度和可靠的开关特性，确保信号的完整与系统的敏捷。

选择DMN67D7L-13，就是选择了一份来自尖端半导体技术的保障。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够从容应对严苛的环境挑战，从工业自动化到汽车电子，适应性极强。超低的栅极电荷（仅0.821nC）和输入电容（22pF），大幅降低了驱动电路的负担，让您的设计更简单，开关速度更快，整体能效更高。采用标准的SOT-23-3封装，它最大限度地节省了宝贵的PCB空间，为产品的小型化和高密度集成铺平了道路。当您需要可靠、高效且具成本效益的MOSFET解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，获取DMN67D7L-13及其完整的技术支持，无疑是加速产品上市、赢得市场先机的明智之举。

• 型号:DMN67D7L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:570mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您是否希望为您的下一代紧凑型电子设备注入一颗高效、可靠的“心脏”？DMN67D7L-13 N沟道MOSFET正是您理想的解决方案。它能在高达60V的电压下，精准、高效地控制210mA的电流，其卓越的5V/10V低驱动电压特性，让您轻松实现快速、节能的开关控制。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至5欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。无论是用于便携设备的电源管理、信号切换，还是作为电机驱动的预驱动器，它都能以SOT-23-3微型封装的极小占位面积，帮助您实现高密度、高性能的电路设计，轻松应对从-55°C到150°C的严苛工作环境。