DMN65D8LFB-7

当您需要在紧凑空间内实现高效功率开关时，是否曾为传统MOSFET的体积和性能妥协而烦恼？现在，DMN65D8LFB-7的到来，将彻底改变这一局面。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其微型化的X1-DFN1006-3封装和卓越的电气性能，正在为现代电子设计注入全新的活力。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现产品小型化、高效化和可靠化的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴电子产品或超薄型电源模块中，每一毫米的空间都弥足珍贵。DMN65D8LFB-7凭借其极小的占板面积，让您能够最大限度地优化PCB布局，为电池或其他功能模块腾出宝贵空间。其高达60V的漏源电压和260mA的连续漏极电流，确保了在各类低压到中压应用中的稳定表现，无论是负载开关、电源管理还是信号切换，它都能游刃有余。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至3欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的整体能效，直接帮助您的终端产品延长续航时间或减少发热。

这款芯片的强大之处还体现在其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和可靠的性能上。从炎热的户外环境到寒冷的工业现场，它都能保持稳定工作，极大提升了产品的环境适应性和耐用性。其低至25pF的输入电容，使得开关速度更快，响应更迅捷，特别适合需要高频切换的应用场景。选择DMN65D8LFB-7，就是选择了一种集高性能、高可靠性与极致小型化于一体的解决方案。它让设计工程师能够突破空间限制，专注于实现更复杂、更创新的功能。如果您正在寻找一个值得信赖的供应链伙伴，DIODES中国代理将为您提供从芯片到技术支持的全程服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

• 型号:DMN65D8LFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:430mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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您是否在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关芯片？DMN65D8LFB-7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET能在高达60V的电压和260mA的电流下稳定工作，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅3欧姆@10V）和超小的DFN1006封装，让您轻松实现高效率与小体积的兼得。

它就像您电路中的“高效微型开关”，快速响应（低输入电容）、驱动简单（5V/10V标准驱动电压），并能适应从-55°C到150°C的严苛环境。无论是为便携设备节省每一分电量，还是在紧凑模块中实现可靠的负载控制，它都能让您的设计更高效、更精巧、更具竞争力。