DMN63D8LV-7

在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否曾为寻找一款既能节省宝贵空间，又能提供可靠开关性能的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMN63D8LV-7，这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，正是为突破空间限制、提升系统效率而生的精巧解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现小型化、智能化的关键赋能者。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴电子产品或高密度模块中，每一平方毫米的电路板空间都价值连城。DMN63D8LV-7采用超紧凑的SOT-563（SOT-666）封装，将两个独立的逻辑电平门MOSFET集成于方寸之间，直接为您释放出更多的设计自由度。其30V的漏源电压和260mA的连续漏极电流，配合低至2.8欧姆的导通电阻，意味着它在信号切换、负载驱动等场景中不仅能轻松胜任，更能显著降低导通损耗，提升整体能效。无论是管理电源路径、驱动小型电机，还是作为高速信号开关，它都能以出色的响应速度和极低的功耗，让您的产品运行更冷静、续航更持久。

选择DMN63D8LV-7，就是选择了一份从容与可靠。其1.5V的低阈值电压确保了与各类微控制器和逻辑芯片的无缝兼容，让您的设计摆脱复杂的电平转换电路。同时，极低的栅极电荷和输入电容赋予了它卓越的开关速度，特别适合需要高频操作的便携式应用。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，更是为其在各种严苛环境下稳定工作提供了坚实保障。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让DMN63D8LV-7成为您下一个爆款产品中那颗不可或缺的“高效心脏”，共同开启微型化电子设计的新篇章。

• 型号:DMN63D8LV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗？DMN63D8LV-7双N沟道MOSFET阵列就是您的空间魔术师。它采用微型SOT-563封装，却集成了两个独立的逻辑电平MOSFET，让您能在指甲盖大小的面积内实现高效的信号切换与负载控制，轻松应对可穿戴设备、便携式电子产品等高密度设计挑战。

这颗芯片能为您做什么？它凭借30V耐压、260mA电流能力以及低至2.8欧姆的导通电阻，确保开关动作既快速又高效，显著降低功率损耗。其1.5V的低开启电压让您可以直接用微控制器GPIO口驱动，简化设计。无论是管理电池供电路径，还是驱动小型执行机构，DMN63D8LV-7都能以出色的性能和可靠性，让您的产品运行更流畅、更节能。